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1.
四论注入光敏器件的物理基础 总被引:2,自引:2,他引:0
叙述了从现象的发现到理论分析,然后用实验进行验证,最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程,从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。本文还分析了文献(1 ̄5,10)中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。 相似文献
2.
基于55nm CMOS工艺,设计了一种具有宽动态范围的2.5Gb/s光接收机模拟前端电路。作为光接收机的输入级电路,为了获得低噪声和高灵敏度性能,跨阻放大器(TIA)基于三级反相器级联结构,同时采用双自动增益控制(DAGC)电路来扩大输入信号的动态范围。为了提高增益,引入后置放大器,包括电平转换电路和三级差分放大电路,同时利用电容简并的方法来进一步拓展带宽,最后进行缓冲器输出。测试结果表明,在误码率为10-12的情况下,光接收机的输入灵敏度为-26dBm,过载光功率为3dBm,动态范围达到29dBm。光接收机在3.3V供电电压下,电流功耗为36mA,整体芯片面积为1176μm×985μm。 相似文献
3.
介绍了一种便携式光纤功率计设计的硬件结构和软件流程,给出了其标定方法和实测性能指标。该光功率计采用InGaAs材料的光电探测器实现光电信号的转换,满足了光纤功率计对波长范围和测量精度的要求;采用高性能运放TLC2652和18位的A/D转换芯片MAX132以保证测量精度;选用高速单片机AT89C52来控制信号的检测、处理以及数据的显示,在确保运算速度的同时使光纤功率计具有多波段响应、量程自动转换、测量精度高的特点。实测的性能指标表明该光功率计达到了设计要求,在光信息、光通信等领域具有广泛的应用前景。 相似文献
4.
在研制硅光敏器件的十多年中,我们注意到两点:一是硅光敏器件的成品率不够高;二是无法用它们探测微弱的光,即它们的信噪比较小.这两点是由同一原因引起的,那就是它们的暗电流偏大. 结型光敏器件的原理是基于描述p-n结光电特性的位移近似公式[1]:式中IL 为输出的信号电流,I.c为p-n结的短路电流,Ic是p-n结的反向饱和电流,V为加在p-n结上的电压(光生电压或外加的电压),q为电量,k为玻耳兹曼常数,T为温度.光敏二极管(用于光伏效应器件时除外)、光敏三极管和达林顿光敏管都是使接受入射光的p-n结(以下简称为受光p-n结)处于反向偏压下工作,即V《… 相似文献
5.
基于异步FIFO实现不同时钟域间数据传递的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
数据流在不同时钟域间的传递一直是集成电路芯片设计中的一个重点问题。本文通过采用异步FIFO的方式给出了这个问题的一种解决方法,并采用Verilog硬件描述语言通过前仿真和逻辑综合完成设计。 相似文献
6.
提出了一个基于步进电机非线性折射率测控系统.整个系统以AT89C51单片机为核心,设计了步进电机驱动电路,光电探测电路和A/D转换电路实现对非线性折射率的测量.用VC++6.0编写了上位机软件,实现单片机与上位机通信,对测量数据的分析、处理以及对整个测控系统的控制. 相似文献
7.
8.
"EDA 技术"的课程体系建设 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对"EDA技术"课程教学内容、教学方式、实验手段等几个方面的改革,确定了模拟集成电路设计和数字集成电路设计并重的教学体系。课程采用师生互动式的教学方式,引入实用性、设计性的实验内容并建立自主开放的实验环境。经过3年的教学改革,新教学模式启发了学生的创造性思维,增强了学生分析问题的能力,取得了良好的效果。 相似文献
9.
基于0.18 μm BiCMOS工艺,设计了一种适用于光纤通信的10 Gbit/s光接收机前置放大器。电路由跨阻放大器、两级可变增益放大器、缓冲器、直流偏移消除电路、峰值探测器和自动增益控制环路组成。跨阻放大器采用并联-并联负反馈结构,在满足增益、带宽要求前提下实现低噪声特性。后级放大器引入了增益可变控制,获得宽输入动态范围,同时采用电容简并技术提升带宽。版图后仿真结果表明,在小信号光电流输入下,放大器的差分跨阻增益为10.7 kΩ,-3 dB带宽为7.4 GHz,平均等效输入噪声电流密度为16.9 pA/Hz。可调增益范围在25.2~80.6 dBΩ内,输入动态范围超过40 dB。在3.3 V电压下,静态功耗为166 mW,版图尺寸为764 μm540 μm。 相似文献
10.
提出了一种内调制红外探测器组件.它可将恒定入射的红外辐射信号转变为交变的电信号输出,而没有通常红外探测系统的调制盘等机械装置,可以简化探测系统,提高可靠性,有利于后级进行交流放大.初步测试表明,在约5μW红外辐射功率下,用MCT做探测单元的内调制红外探测器组件可输出峰值电压约65mV的交流电信号,其比探测率略高于为5×109cm·W(-1)s(-1/2)。 相似文献