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主要讨论薄膜气敏元件加热电阻的设计及功耗的计算,同时也讨论加热电阻材料必须具备的条件。根据传热学原理,推导出计算功耗的表达式,并编制出相应的计算机程序。对于工作在300℃时气敏元件功率损耗,其理论计算与实验相符。因此可根据该程序方便地计算出不同尺寸芯片在不同工作温度时相应的加热功率。 相似文献
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以CF4Ar为等离子体刻蚀废气的模拟气体 ,利用发射光谱法分析F。含氟废气中 F原子的发射光谱在6 0 0— 80 0 nm波段内的谱线为 6 97.5 nm和 739.5 nm。研究了电感耦合等离子体放电时射频功率对F元素检测的影响 ,表明提高射频功率可降低 F元素检出限。 相似文献
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