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无线电
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2013年
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1.
InSb光电导太赫兹辐射理论研究
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潘武
黄书磷
李亭亭
李国新
《激光技术》
2013,37(2):239-242
为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化。结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性。
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