场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

我国增值业务市场快速膨胀2011年收入将达2520亿元

信息产业部电信研究院通信信息研究所近日发布的《2008—2011年度中国电信运营业发展潜力预测》称，目前，影响中国电信运营业发展的各种因素总体上是积极、正面的，行业潜力会逐步得到释放，行业外延将不断扩大预计在2008至2011年间，个人、家庭和政企客户空间都呈继续增长的态势，电信增值业务市场收入也将不断攀升，预计到2011年可达到约2520亿元。不过，行业发展拐点可能在2009年到来，电信业将由与国民经济齐头并进转变为落后子国民经济增长。     

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser system

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser is obtained with a diode-laser-pumped frequency-doubled Nd:YAG laser as the pump source. A maximum output power of 2.5 W is obtained for 16-W power of 532-nm pump light. A much higher conversion efficiency of 15.7% is obtained when at the maximum output power.     

大型复杂高精度波导钎焊设备的研制：简介ZHS—132型真空钎焊炉

应军事电子装备，特别是军用雷达预研和生产的急需，电子工业部第二研究所近期研制的成功大型、复杂、高精度波导钎焊设备ＺＨＳ－１３２型真空钎焊炉。文中主要介绍了该设备的开发背景和对波导钎焊工艺的影响，该设备的设计构思、结构和技术特征，使用功能和效果，以及推广应用前景。     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

抽吸和压力梯度在层流边界层转捩过程中的作用

用空间模式的二次稳定性理论研究了抽吸和压力梯度对边界层三维亚谐扰动流动稳定性的影响．数值结果表明，固体边界上的抽吸有明显的层流控制作用，逆压梯度则有较强的不稳定作用．     

类氖锗X光激光双程放大实验研究

本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps.     

数学知识综合应用——小学四年级校本课

师:同学们!这节数学课我们运用所学过的数学知识,来解决实际生活中的问题好吗? 生:好!(齐答) 师:学校要美化校园,我们来当学校的“管理人员”,计算一下需要向学校申请多少资金,当然要以节约为原则,大家有没有信心把这件事情做好?