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1.
2.
丘锦荣 《广播电视网络技术》2009,(7):123-123
在以往说到“EFP多机位摄像作业”几乎是电视台的专利,因为这是一个大工程,涉及到设备及人力,不是一般制作公司可以做得到的。曾几何时由于民间财富的快:速累积,影视设备已经不再是以往高不可攀的生财工具,所以民间的制作公司纷纷投资添购切换台等相关设备,投入许多大型活动及表演活动的“EFP多机位摄像作业”。随着影视制作民间化之后,在台湾地区的许多宗教团体以及学校单位也.陆续采购设备,自行制作—些传道及教学性的节目。 相似文献
3.
丘锦荣 《广播电视网络技术》2010,(12):125-125
随着大陆电视栏目的外包及未来三网融合后影视栏目的需求量增加,可预期的EFP多机位作业将在未来影视制作上。扮演举足轻重及不可或缺的重要角色。 相似文献
4.
本文研究了各种Ti(Ⅳ)化合物:Ti(OR)_4(R=Et,~iPr,~nBu),TiCl_4,CP_2TiC_2,Cp_2Ti(OPh)_2对Meerwein-Ponndorf-Verley-Oppenauer反应的催化活性。试验表明Ti(O~iPr)_4对还原反应显示出极好的催化活性,还原苯甲醛,对氯苯甲醛,对硝基苯甲醛,对甲氧基苯甲醛,糠醛,巴豆醛的产率可达80%以上。Ti(OEt)_4对氧化反应有良好的催化活性,对正辛醇,2-辛醇,苯甲醇,环已醇,肉桂醇的氧化产率在69%以上。同时还考察了各种参数对反应的影响。 相似文献
5.
6.
丘锦荣 《广播电视网络技术》2009,(12):123-123
音乐对于一部影片来说具有相当的影响,音乐可以带动整个影片的情绪高低起伏,让观赏者随着音乐的旋律快乐、紧张甚至是悲伤落泪。影、音一直是不能切割的伴侣,好的音乐对于影片有画龙点睛之妙,除了原音及人声的配音之外,音乐对于影片的重要性是无庸置疑的。 相似文献
7.
以微囊藻毒素(MC)-LR为模板,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)自由基聚合技术,在凹凸棒土(ATP)表面制备了磁性分子印迹聚合物,并通过溶胶-凝胶法将分子印迹聚合物作为涂层介质制作搅拌棒。同时通过红外吸收光谱和扫描电镜等对印迹聚合物进行了结构和形貌的表征,并用液相色谱研究了搅拌棒涂层对水体中微囊藻毒素的吸附性能。结果表明,在最佳萃取条件下,分子印迹搅拌棒涂层对MC-LR具有较高的选择性能,在0.010~5.0 mg/L范围内线性关系良好(r2>0.997),检出限(S/N=3)可低至0.27 μg/L。MC-LR加标水平为20.0~80.0 μg/L的回收率范围为83.33%~100.07%,相对标准偏差(RSD)为1.40%~9.17%。该方法快速、灵敏、选择性高,可用于环境水体中微囊藻毒素的分析检测。 相似文献
8.
白光LED荧光粉远场涂覆光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了白光LED远场隔离封装中隔离距离对发光效率及相关色温(CCT)的影响。实验结果表明,低电流输入条件下,白光LED的发光效率随芯片表面到荧光粉层距离变化是非线性的,当芯片表面到荧光粉层距离为0.88mm时具有最佳发光效率74lm/W,白光LED相关色温随着距离的增加呈线性下降。这为白光LED的一次光学设计提供了实验依据。 相似文献
9.
Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction 下载免费PDF全文
Qiu-Ling Qiu 《中国物理 B》2022,31(4):47103-047103
The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices. 相似文献
10.