新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe 异质结双极晶体管

宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性, 本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型, 分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响. 研究表明, 对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 使它与均匀基区Ge组分HBT相比, 具有更高的特征频率f_T, 且电流增益β和f_T随温度变化变弱, 这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时, 器件整体温度有所降低, 但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异, 在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时, 对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计, 用于改善器件各指温度分布的均匀性, 进而提高HBT的热稳定性.结果表明, 与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比, 新器件各指温度分布均匀性明显改善, f_T保持了较高的值, 且β和f_T 随温度变化不敏感, 热不稳定性得到显著改善, 显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性. 关键词： SiGe 异质结双极晶体管 Ge组分分布 发射极指间距渐变技术 热稳定性     

单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究

基于器件仿真器Atlas, 建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型, 分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系. 设计出同时具有高响应度(≥17.93 A/W)和高特征频率(≥121.68 GHz)的UTC-DHPT, 缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾. 关键词： 单向载流子 光敏晶体管 电流放大倍数 响应度     

Collector optimization for tradeoff between breakdown voltage and cut-off frequency in SiGe HBT

As is well known, there exists a tradeoff between the breakdown voltage BVCEOand the cut-off frequency fTfor a standard heterojunction bipolar transistor(HBT). In this paper, this tradeoff is alleviated by collector doping engineering in the SiGe HBT by utilizing a novel composite of P+and N-doping layers inside the collector–base(CB) space-charge region(SCR). Compared with the single N-type collector, the introduction of the thin P+layers provides a reverse electric field weakening the electric field near the CB metallurgical junction without changing the field direction, and the thin Nlayer further effectively lowers the electric field near the CB metallurgical junction. As a result, the electron temperature near the CB metallurgical junction is lowered, consequently suppressing the impact ionization, thus BVCEOis improved with a slight degradation in fT. The results show that the product of fT×BVCEOis improved from 309.51 GHz·V to326.35 GHz·V.     

多波束回波信号可变带宽滤波算法及其FPGA实现

噪声是限制多波束测深声呐深度估计精度的重要因素,目前在声呐系统中广泛采用的噪声抑制方法是固定带宽滤波。针对测量扇面内不同方向上噪声影响程度不同的特点,该文提出一种新的可变带宽滤波算法并依据多波束回波特性设计了相应的滤波器,与传统滤波方法相比,可以有效地提高信噪比,并且运算量小;其滤波算法结构非常有利于 FPGA的快速实现。文中给出了该滤波算法的FPGA实现结构,并仿真验证了该滤波算法的工程可行性。对湖上试验数据的处理结果验证了该算法的有效性。     

浅谈通信机房UPS电源的管理与维护

在信息时代下,通信已经成为人们工作、学习、生活的重要组成部分。而通信电源系统运行质量的好坏直接关系到通信信息网络的运行质量和通信安全。因此,通信行业通常把电源设备比喻为通信系统的"心脏",这充分说明通信电源在通信系统中所处地位的重要性。通信机房UPS电源可以保证在市电断电的情况下继续为通信系统提供电力保证,避免丢失相关重要数据,造成重大损失。因此研究通信机房UPS电源的管理与维护具有迫切性,不仅要保障通信系统正常运行,还要不定期对UPS电源系统进行检测和维护。     

浅水多波束高帧率测深技术研究

针对常规多波束测量中由于远距离目标信号未到达接收基阵而不能再次发射探测信号,导致测深帧率下降的问题,提出了基于Kasami编码的浅水多波束高帧率测深方法。首先讨论了频分复用高帧率测深方法、基于Kasami编码的并行高帧率测深方法和串行高帧率测深方法的原理,然后通过仿真对比了三种方法的条带间干扰和测深精度的性能,最后分析表明基于Kasami编码的串行高帧率测深方法具有较低的条带间干扰能力和较高的测深精度。最后采用国产首套浅水宽覆盖多波束测深系统进行了水池实验验证,结果表明该方法在保证测量精度的情况下,可有效的提高测量帧率。     

有源电感复用型2.4 GHz/5.2 GHz双频段LNA

采用可调谐有源电感复用结构,设计了一款用于3G TD-SCDMA和WLAN的2.4 GHz/5.2 GHz双频段低噪声放大器(DB-LNA)。2.4 GHz频段电路采用折叠共源共栅(FC)结构,5.2 GHz频段电路采用共栅(CG)结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感,通过调谐有源电感的等效阻抗,优化匹配到源阻抗。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明,频率为2.4 GHz时,S₂₁=35 dB,NF=4.42～4.59 dB,IIP3=0 dBm,P-1dB=-14 dBm;频率为5.2 GHz时,S₂₁=34 dB,NF=2.74～2.75 dB,IIP3=-5 dBm,P-1dB=-9 dBm。     

有源电感复用型2.4GHz/5.2GHz双频段LNA

采用可调谐有源电感复用结构,设计了一款用于3G TD-SCDMA和WLAN的2.4GHz/5.2GHz双频段低噪声放大器(DB-LNA)。2.4GHz频段电路采用折叠共源共栅(FC)结构,5.2GHz频段电路采用共栅(CG)结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感,通过调谐有源电感的等效阻抗,优化匹配到源阻抗。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明,频率为2.4GHz时,S21=35dB,NF=4.42~4.59dB,IIP3=0dBm,P-1dB=-14dBm;频率为5.2GHz时,S21=34dB,NF=2.74~2.75dB,IIP3=-5dBm,P-1dB=-9dBm。     

基于噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器

实现了一款超宽带低噪声放大器( UWB LNA)。该UWB LNA由输入级、中间级和输出级组成。在输入级,采用两个共栅配置构成了噪声抵消技术,减少了噪声,在此结构基础上进一步采用了跨导增强技术,提高了增益。同时插入的电感Lin提高了LNA在宽带范围内的增益平坦度。中间级放大器,在漏极并联电感产生零点,提高了LNA的带宽。输出级为源极跟随器,较好实现了LNA的阻抗匹配。基于0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证表明,在4 GHz~10 GHz频带范围内,电压增益( S21)为(19.2±0.3)dB,噪声系数(NF)介于2.1 dB~2.4 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在9 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-7 dBm。在1.8 V的电源电压下,功耗为28.6 mW。