BaSi2O5荧光粉中Eu2+的制备，电子结构和荧光性质

绿色发射磷光剂BaSi2O5：Eu2+是由常见的固体反应合成。在CASTEP代码中,BaSi2O5可视为存在3.2eV直能隙的媒介带隙半导体。正如预期所料的,BaSi2O5光学带隙的计算值比对应的实验值低。200-400nm宽光谱范围可以有效地激活活化的Eu2 的BaSi2O5磷光剂,当最大半宽为95nm时,500nm处有一个发射峰。浓度和发射强度的研究表明Eu2 的最优浓度是0.05mol,当Eu2 容量超过临界值时,会出现浓度淬灭。最优条件的BaSi2O5的外量子效率：在315nm、350nm和365nm的激发下,Eu2 分别是96.1%、70.2%和62.1%。样品优越的光学性能表明绿色发射磷光剂可替代白光LED。     

TSV制程关键工艺设备技术及发展

论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备。     

基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究

穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。     

Infinitely many solutions for a class of degenerate elliptic equations

Let X = (X1, ···, Xm) be an infinitely degenerate system of vector fields. The aim of this paper is to study the existence of infinitely many solutions for the sum of operators X =sum ( ) form j=1 to m Xj Xj.     

晶圆精密电镀中的垂直剪切镀设备的研制

凸点的制作方法有很多种,但是电镀法可以制作各类凸点,它对芯片的I/O数、焊区尺寸大小及凸点节距均没有限制,且适于大批量生产。介绍了垂直剪切镀技术的基本原理,根据微电子圆片级封装在硅圆片上制作凸点的需要,设计研制了一套设备。经过优化设计,解决了剪切镀关键技术问题并满足了工艺要求,取得了良好效果。     

高深宽比的TSV镀铜工艺技术研究

镀铜填充时,形成空洞或缝隙都将导致芯片严重的可靠性问题,从设备能力和电镀药液两个方面分析了对镀铜填充效果的影响,并在孔径10μm、深宽比10∶1的硅通孔内进行工艺验证。结果表明：镀前预湿处理、镀液快速搅拌、电场均匀分布、镀液添加剂的浓度及配比等4个方面对实现硅通孔无缺陷填充起了决定性作用。