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1.
像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
张向东
李有成
孙小均
魏成文
《半导体学报》
1995,16(8):561-566
在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的.
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