n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响

叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm²,填充因子为80.69%。     

Vitronic分选设备在太阳能电池片分选中的应用

在太阳能电池片的生产过程中,需要人工按照外观标准要求对太阳能电池片进行检验分类,人员分选效率低且容易产生误判。为了提高分选效率和降低误判。通过采用Vitronic太阳能电池片外观分选设备,将此设备整合在产线设备中。使用该设备测试对太阳能电池片外观进行检测。以达到对太阳能电池片的颜色、几何尺寸、边缘、表面缺陷和印刷质量进行分类。     

不同薄膜对n型IBC太阳电池性能的影响

叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的光电转换效率。但由于IBC太阳电池在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行发射极和背电场隔离,导致工艺流程复杂、电池片稳定性较差,难以实现大规模生产。研究了不同厚度的SiO₂薄膜、SiN_x薄膜和SiO₂-SiN_x叠层薄膜对IBC太阳电池钝化性能、减反射效果、热稳定性能和电性能的影响,实验结果表明,SiO₂-SiN_x叠层薄膜在较宽的光谱范围内减反射效果更佳,高温热生长的20 nm厚的SiO₂薄膜便表现出良好的热稳定性,当选用SiO₂-SiN_x(厚度分别为20和40 nm)叠层薄膜时,制备的IBC太阳电池光电转换效率稳定,可达24.1%,对应的开路电压为698 mV,短路电流密度为43.25 mA/cm²,填充因子为79.87%。