磷化硼单晶和外延层

在氢气氛中使乙硼烷与磷化氢混合料热分解和在氢气中加热还原三溴化硼与三氯化磷混合料,已经在六角晶型的碳化硅基面上淀积起磷化硼。在热分解过程中,为把气相反应的影响减到最小,基底温度必须维持在900℃以下,此时,磷化硼层刚露出择优取向。热还原过程是在一个宽的温度区间内完成的;用光学显微镜和反射电子衍射观察发现,在1050℃—1150℃碳化硅表面上沉积的磷化硼层是单晶体,而且是按基底外延的。卤化物还原反应制备外延的磷化硼,无特意掺杂时是P型的,室温载流子浓度约为10~(19)cm~(-3)。在300—1000°K温度区间内电阻率的测量指出存在着两种杂质能级,它们的激活能分别约为0.22和0.66电子伏特。用卤化物还原反应也获得了针状磷化硼晶体,它们是长轴沿着<111>方向的P型单晶,在室温时电阻率约为20欧姆·厘米。     

用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性

本文描述了一种简便可靠的分析Ga1-xAlxAs外延片表面组份均匀性的光学方法.在300K下,用小功率He-Ne激光器作光源,对x<0.39的n型和p型外延层进行了光致发光测量.依据光谱峰值获得表面的x值与扫描电镜所得结果相符.通过激发表面不同点处测得的光致发光光谱的位移,可以迅速而直观地分析出x值分布的均匀性.     

InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。     

DDS原理及基于FPGA的实现

本文主要介绍了DDS的原理及通过FPGA来实现。     

TMS320F28335与串行A／D转换器ADS7863的接口设计

为了实现DSP芯片与串行A／D芯片的多信号通信,设计了TMS320F28335的多通道缓冲串口（McBSP）与串行A／D转换器ADS7863的硬件与软件接口。该设计中A／D转换器与McBSP串口直接相连,不需要占用并行数据总线,避免了总线冲突。通过在CCS环境下编程、调试,得到了满意的实验结果,验证了该接口设计的正确性。     

证实GaAs中深能级陷阱发射到间接导带的极小的新技术

本文对具有深能级陷阱的肖特基势垒耗尽区的C-V特性提供了一种新的分析,得到了能带图中能级的绝对位置。发现了通常在气相外延GaAs中观察到的0.83±0.005eV电子陷阱位于Γ导带极小下0.543eV(240K)和0.537eV(120K)处。表明这些能级能发射电子到L极小,而且与这些极小有关的参数具有零的温度系数。这些中心的俘获截面是σ∽=(1.8±0.4)×10~(-14)cm~2,在120—240K整个温度区域有一个零的激活能。     

研究现代化学课堂教学行为的量化工具——3C-FIAS

通过检视原始FIAS以及改进后的课堂教学行为分析系统应用于化学课堂教学行为分析中的不足,以原始FIAS为基础,提出适合现代化学课堂教学行为分析的系统——3C-FIAS。使用该系统对3节不同的常态化学课堂教学视频进行分析,将所得分析数据与前人的分析结果进行比对,确证了3C-FIAS系统的适用性、实用性和科学性。此外,对如何合理使用该系统提出了思考和建议。     

图像纹理合成的研究应用

在此介绍了纹理和纹理合成的基本概念,给出了纹理合成常见的几种算法,通过分析块拼接纹理合成算法,对块拼接纹理合成算法进行改进,将块拼接的原理应用到图像拼接上,并对象素加入与人视觉有关的权值进行接缝处理。实验结果表明,该方法简单实用,对于基本的由不同方位拍摄的图像都可以通过该算法进行拼接,并通过对接缝处的处理,取得了较好的结果。     

GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED''s老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED''s发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。     

老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响

测量了GaP纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱,研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响.在老化后的发光光谱中观测到650nm和1260nm发光带,发现1260nm发光带的发光强度随老化时间的增加而增强.实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了GaP纯绿LED的发光效率.