用显微拉曼扫描成象(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

用显微拉曼扫描成象（ｍａｐｐｉｎｇ）法测集成电路中ＣｏＳｉ２电极引起的应力李碧波黄福敏张树霖（北京大学物理系北京１００８７１高玉芝张利春（北京大学微电子所北京１００８７１）ＳｔｒｅｓＩｎｄｕｃｅｄｂｙＣｏＳｉ２ＧｒｏｗｎｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｉｎ...     

JGT-5型超声波钢轨探伤车

上海超声波仪器厂与郑州铁路局共同研制的JGT-5钢轨探伤车,是一种智能化,数字化并配有手推车的专用超声探伤设备。它有五个通道,能同时用超声脉冲反射法和穿透法进行探伤,各通道都配有定量衰减器,而且能用数字直接显示伤损位置,适用于全面探测各种钢轨的核伤、螺孔裂纹、轨腰的水平和纵向裂纹及焊缝裂纹等各种伤损。     

用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

本文用显微喇曼光谱方法，在μｍ尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长ＣｏＳｉ２所引起的应力进行了测量，并对这种应力的类型和大小与含有ＣｏＳｉ２的电路结构间的关系做了研究．结果表明，ＣｏＳｉ２所引起的应力为压应力，其大小随着面积的减小而增大，在边界处的应力与ＣｏＳｉ２区域中心处的应力类型相反，数值大一倍．     

中国海大陆架沉积物超细标准物质系列研制

5个中国海大陆架沉积物标准物质的原样分别取自东海和南海,样品风干后,先经球磨制备成200目的均匀粉体,再用气流磨进一步加工成超细粒度的均匀样品.采用激光粒度仪检测了样品的粒度分布,5个样品的平均粒度均小于4 μm(约800目).采用高精度的XRF检验了样品的均匀性并以高灵敏度的ICP-AES、ICP-MS相配合确定了其最小取样量(5 mg).有12个实验室参加了合作定值研究,定值组分均为60个,其中MSCS-1,2分别有50和51个组分定为标准值,MSCS-3,4,5有52个组分定为标准值.全组分百分总和分别为99.9%, 99.9%, 100.4%, 100.1%和99.7%.     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.     

CHJ-S-2型超声波塑料焊接机

上海超声波仪器厂新近研制成功了一种新颖的大功率超声波塑料焊接机,它是焊接热塑性塑料制品的最新设备,各种注塑而成的胶件都可以使用该设备进行焊接,不需要任何熔剂、粘合剂或其他辅助品,它具有焊接速度快、质量高、外形美观等优点。 超声波塑料焊接机用途广泛,只要使用热塑性胶件的行业都可适用,如电子工业、汽车工业、电器制造、玩具、家庭用品、包装及一般塑料行业等。 本设备可根据不同焊接对象进行熔焊、嵌焊、铆焊等,由于本设备输出功率较大,所以对较大面积的塑料作进行传输焊接效果更为理想。     

热阴极非均匀性发射测量系统数据处理软件的应用

本文简要介绍了我国首台自行设计制造的阴极微区非均匀发射自动测量系统和测量数据处理软件,以研究钡钨阴极在支取不同发射电流密度下发射电流的非均匀性为例,给出一些实验结果。