布儒斯特角的非电量电测

利用无触点式角度电位器测量玻璃的布儒斯特角，实现角度量的电测，并准确得到玻璃的折射率．     

应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。     

欧洲物理实验教学考察报告

复旦大学物理教学实验中心一行5人,于2012年10月对英国、法国、德国七所大学的物理实验教学进行了深入考察,通过听课、听取介绍以及与学校及物理系领导、教师、助教和学生的广泛交流与讨论等多种形式,了解了这七所大学的物理实验教学概况。强大又配合密切的实验教学团队,科学而灵活的课程设置,丰富多彩的实验课堂,以及教师对实验教学的热爱和全身心投入,都给我们留下了深刻的印象。我们把考察中的所见所闻及我们的思考写成这份报告,以飨国内从事物理实验教学的领导、教师和广大学生。     

人工智能和机器学习下的5G网络安全研究

提出了一种基于机器学习的网络入侵检测系统来防止恶意的在线攻击。该系统是一种多阶段优化框架，研究了过采样技术对模型训练样本数量的影响，比较了基于信息增益和基于相关性的两种特征选择技术，探讨其对检测性能和时间复杂度的影响；探索了不同的超参数优化技术来进一步提高网络入侵检测系统的性能。在CICIDS 2017和UNSW-NB 2015入侵检测数据集上的实验结果表明，该模型能显著降低所需的样本数量和特征集量，并在两个数据集上的检测准确率均超过99%。在保持检测性能的同时降低了计算复杂度。     

采用单片CPLD实现动目标检测处理

介绍了一种大规模复杂可编程逻辑器件(CPLD)在雷达信号处理系统中动目标检测电路的应用及具体实现方法。系统充分利用CPLD的高集成度,有效地降低了整个电路的复杂程度。由于简化了电路设计,减少了器件数量,大大提高了电路的可靠性。并且采用数字电路后,系统的稳定性和性能指标都比模拟电路更好。     

干法刻蚀中晶圆表面温度控制研究

干法刻蚀工艺中,晶圆温度会直接影响刻蚀速率、刻蚀均匀性及刻蚀形貌,从而对最终的器件性能产生影响。对干法刻蚀过程中会对晶圆温度产生影响的若干因素进行了研究,并通过实验确认了不同因素对晶圆温度的影响趋势及范围,为工程应用提供一定参考。通过实验,确认了静电吸盘的夹持电压及氦压、射频源功率、下电极温度及晶圆本身都会对刻蚀过程中的晶圆温度产生一定影响,其中静电吸盘的夹持电压及氦压对晶圆温度影响最大,晶圆翘曲、下射频源功率次之,上射频源功率、下电极冷却温度对晶圆温度影响基本相当,影响程度最小。     

具有协同表面配体的水溶性稀土上转换发光纳米材料用于活体淋巴结显像

通过水热法,以油酸和两亲性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为协同表面配体,一步水热合成水溶性稀土上转换发光纳米材料(NaYF4:20％ Yb 1％ Tm).稀土纳米粒径尺寸平均为16 nm,在水溶液中稳定单分散,具有较强上转换发光.具有较低的细胞毒性,可用于上转换发光细胞成像.并进一步用于活体淋巴结显像,表现出高的信噪比.     

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

欧洲物理实验教学考察报告

复旦大学物理教学实验中心一行5人,于2012年10月对英国、法国、德国七所大学的物理实验教学进行了深入考察,通过听课、听取介绍以及与学校及物理系领导、教师、助教和学生的广泛交流与讨论等多种形式,了解了这七所大学的物理实验教学概况。强大又配合密切的实验教学团队,科学而灵活的课程设置,丰富多彩的实验课堂,以及教师对实验教学的热爱和全身心投入,都给我们留下了深刻的印象。我们把考察中的所见所闻及我们的思考写成这份报告,以飨国内从事物理实验教学的领导、教师和广大学生。     

SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究

介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。