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高增益探测对InGaAs焦平面探测器在微光夜视条件下成像有重要意义。设计了一款InGaAs焦平面用的高增益低噪声64×64元读出电路。读出电路输入级采用CTIA模式(电容负反馈放大),通过计算发现输入级运算放大器热噪声是主要噪声源,采用单端替代差分运放将输入级噪声降低26%。同时,研究积分电容和增益、满阱容量、噪声的关系,将积分电容降低到1 fF,实现了超高增益和低噪声探测。读出电路采用0.18mm工艺设计,像元中心距为30mm。经过PEX(寄生参数提取)参数提取,实际积分电容为0.94 fF,经过测试芯片整体功耗低至24.1 m W,电路噪声电子数为4.37e。 相似文献
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本文提出了一种基于65nm CMOS标准工艺、采用粗调和细调相结合的低噪声环形压控振荡器。论文分析了环形振荡器中的直接频率调制机理,并采用开关电容阵列来减小环形压控振荡器的增益从而抑制直接频率调制效应。开关电容采用电容密度较高的二维叠层MOM电容使该压控振荡器与标准的CMOS工艺兼容。所设计压控振荡器的频率范围为480MHz~1100MHz,调谐范围为78%,测试得到输出频率为495MHz时的相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz。该压控振荡器在1.2V的偏压下的功耗为3.84mW,相应的优值(FOM)为-169dBc/Hz。 相似文献
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提出了一种基于CMMB(中国移动多媒体广播)标准的9阶椭圆函数Gm-C滤波器结构.该滤波器截止频率为3.75MHz,通带波纹小于1dB,过渡带宽500kHz,在4.25MHz处衰减达40dB以上,功耗为7mW.采用0.25μmCMOS工艺,在自动校正电路的作用下,该滤波器在工艺偏差(温度在-40~90℃交化以及±10%的电源电压偏差)的情况下也能保持良好的性能,截止频率偏差不超过1%,临近信道抑制超过40dB. 相似文献
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以Ni包MoS2为润滑剂,Ni60粉末为基体,利用超音速火焰喷涂技术制备镍基固体涂层,研究了Ni包MoS2对Ni60涂层和Ni60/MoS2涂层的显微组织、力学性能以其摩擦磨损性能的影响,并探讨载荷对Ni60/MoS2涂层摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察涂层的磨损表面形貌并分析其磨损机制.结果表明,Ni包MoS2的加入可以降低Ni60涂层的结合强度和显微硬度,使其摩擦系数和磨损率明显降低;Ni60/MoS2涂层的摩擦系数与载荷无关,其磨损率随载荷增加而增大;Ni60涂层的磨损机制主要为疲劳磨损和黏着磨损,Ni包MoS2的加入减少了Ni60/MoS2涂层的黏着磨损. 相似文献