一种高效率E-1 / F 类GaN HEMT 射频功率放大器

使用GaN HEMT 功率器件,设计了一款5G 低频段的高效率E-1 / F 类射频功率放大器。为降低晶体管寄生参数及高次谐波对逆E 类(E-1 )功放开关特性和输出性能的不良影响,将具有寄生参数补偿的逆F 类(F-1 )谐波控制网络引入逆E 类功放输出匹配电路中,实现了对二次谐波和三次谐波分别进行开路和短路处理,从而获得逆E 类功放要求的良好开关特性。同时,得益于逆F 类功放优良的谐波控制效果,改善了功放漏极电压和电流波形,大大降低其漏极峰值电压和电流,进而提升了功放的输出性能。实测结果表明,该功放在3. 3 ~ 3. 6 GHz 的300MHz 有效工作带宽内的功率附加效率为59. 1% ~ 71. 4%,最大漏极效率高达75. 6%,输出功率在40. 2 ~ 41. 5dBm之间,增益平坦度在依1dB 以内。最后利用20 MHz 带宽的单载波LTE 信号作为测试信号,基于广义记忆多项式数字预失真器对该功放进行线性化后,功放输出的邻信道功率比改善了近15 dB。     

短波跨倍频程超宽带E类功率放大器设计

本文基于CREE公司Ga N HEMT功放管CGH40025F设计了一款短波跨倍频程超宽带E类功率放大器。实测结果表明其在1. 6～175MHz宽带范围内其PAE均在60%以上,最大可达74. 3%;输出功率在43. 2～44. 09d Bm;增益均大于15dB,且其增益平坦度在±1dB以内。可较好的覆盖整个短波通信频段,在不依赖于中继基站、远距离短波通信系统的应用中具有十分重要的价值。