砷化镓薄膜的电共沉积工艺

一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。     

MCZ技术的研究

本文在概述了 MCZ(Magnetic-field-applied CZ)技术的理论基础上,介绍了由作者们所研制的两种新型MCZ 硅单晶炉——“Y”形磁场和螺旋管全封闭式非线性磁场硅单晶炉,并在横向分量为1300G垂直分量为700G的“Y”形磁场中拉制出了MCZ 硅单晶.对氧含量和掺杂浓度的测量及对微观结构的初步观察表明,所设计的新型磁场单晶炉,可明显地提高硅单晶的掺杂均匀性和结构完整性.     

Fe∶BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Bi12SiO20，BSO）晶体中掺入少量Fe2O3，生长出Fe：BSO晶体，由于Fe杂质在BSO晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位相共轭反射率等光折变性能指标有较大提高。文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

InGaAs薄膜电共沉积研究

本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3～ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .     

改进的铝合金化工艺

本文提出了一种改进的铝合金化新工艺.该工艺是将一次铝合金化后的硅片表面层用磷酸腐蚀后,经去离子水彻底清洗,然后进行二次蒸铝及合金化.经此工艺处理后,可改善铝层表面小丘状态,提高粘附性,改善其抗电迁移性能.此法工艺简单,成本低.     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

一种新型结构的湿度传感器

本文提出了一种以聚酰亚胺为介质膜的电容式湿度传感器.它的工作原理是,在不同的湿度环境下,聚酰亚胺—水系统介电常数改变引起传感器电容的变化.该传感器具有工艺简单、体积小、灵敏度高、响应快等优点.该文介绍了它的结构、制造工艺和试验结果.     

GaAs薄膜电沉积机理的初探

本文叙述了电沉积制备GaAs薄膜的原理．我们在不同的基片上均成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜．初步探讨了GaAs薄膜的电沉积机理．     

多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究

利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性．