用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的研究

本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这一方法,既能保证平面晶体管本征基区所要求的杂质总量和结深,又可同时制得杂质总量和结深均较大的非本征基区,有利于避免表面沟道效应,减小基区电阻以及减弱基区下陷效应的影响,从而改善分立器件和集成电路的性能。此外,在集成电路中采用类似的方法,还可以同时获得不同β的晶体管和方块电阻不同的硼扩散电阻器,从而增加了集成电路设计的灵活性。     

关于硼杂质在二氧化硅中扩散机理的探讨

实验发现,在硅平面器件硼预沉积时,硼杂质在二氧化硅中的扩散系数远远偏离理论值.为进一步解析这种现象,本文提出了一种硼杂质在二氧化硅中具有双重扩散机构及分层扩散的初步设想.我们认为,利用这一设想,能较好地解析实验结果.实践表明,本实验结果为硅平面器件硼扩散工艺的改革提供了参考依据,并取得了较好的效果.     

关于改革硅平面晶体管常规工艺的研究

本文提出一种与常规硅平面工艺相容的工艺改革方案。本方案既使低温氧化得以实施,又不增长生产周期。研究表明,采用本方案可减少热氧化诱生缺陷、提高光刻质量以及减弱发射区陷落效应。此外,本方法还可减少二氧化硅层的杂质沾污和台阶效应,从而达到改善器件性能的目的。采用本方案,可望提高成品率、降低生产成本。