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1.
硼、砷双注入载流子浓度分布的测量及计算机模拟
马谊
李国辉
张通和
黄敞
《半导体学报》
1986,7(2):209-213
本文研究了双极型器件中硼、砷双注入载流子浓度分布的规律,考察了双注入情况下两者的相互作用。为了模拟基区载流子的浓度分布,用一个指数衰变场来模拟基区载流子在E-B结处的下陷,用有效扩散系数模拟尾部的增强扩散效应.并调试了计算双注入的载流子浓度分布的程序.
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