单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光

通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。     

4-羟基喹啉-3-羧酸乙酯的合成及生物活性研究

球虫病是家禽养殖业中最常见的寄生虫病之一,目前对该疾病最有效的防治手段是化学药物防治。伴随着现有药物纷纷由于耐药性而出现的疗效降低,开发新的抗球虫药物迫在眉睫。本文以邻苯基苯酚作为起始原料合成了一系列6-苄氧基-7-苯基-4-羟基喹啉-3-羧酸乙酯化合物,并利用~1H NMR,~(13)C NMR,和HR-MS等分析测试方法对化合物结构进行了表征,最后采用抗球虫指数(ACI)方法对目标化合物进行了生物活性测试,测试结果表明化合物5a和5f具有明显的抗球虫效果。     

InSb晶片表面有机物沾污清洗的分子动力学研究

清洗是混成式探测器芯片器件制造过程中的一道关键工序。探测器芯片表面所吸附的有机物沾污是清洗的主要目标。使用第一性原理与分子动力学相结合的方法研究了丙酮、乙酸乙酯对InSb晶面有机物沾污(主要成分为502)的清洗机理。第一性原理计算结果表明,丙酮与乙酸乙酯的分子反应活性位点均离域在杂原子上,两者可通过杂原子对吸附在InSb表面的502解吸附以达到清洗的目的。分子动力学模拟结果表明,乙酸乙酯可以促进丙酮分子在502膜层中的扩散能力,以此加强丙酮对502的去除作用。     

富汞开管热处理对碲镉汞性能影响的研究

本文采用富汞开管热处理设备对中波MCT材料进行N型退火,研究并解决了如何控制汞蒸气回流的问题。在相同的退火温度和退火时间,使用开管退火工艺和闭管退火工艺进行了对比实验,研究发现随退火时间的增加,两种工艺处理的芯片霍尔浓度呈下降趋势,载流子迁移率呈上升趋势。当退火温度和退火时间相同时,开管退火工艺的载流子迁移率更高。对开管退火工艺的芯片进行I V测试和器件组件最终测试,其性能较好。     

机载远程数据集中器协议转换方法研究

针对机载远程数据集中器(RDC)的数据转换功能,在对ARINC429和AFDX两种机载数据总线分析的基础上,提出了一种基于配置信息中虚拟链路(VL, Virtual Link)与ARINC429数据标号的适配关系的数据转换方法。对RDC功能需求进行分析并给出整体设计方案,采用模块化设计并对各模块功能进行了详细的介绍,其中配置信息模块的应用增加了RDC数据转换功能的灵活性。在新型航电系统架构下,通过对RDC之间基于VL的通信过程中的数据转换过程进行仿真和分析,验证此方法的可行性。协议转换方法的研究为RDC的整体功能仿真研究奠定了基础。     

基于SystemVerilog的机载应答机验证技术的研究

机载应答机对飞机安全有重大的影响,应当在功能仿真阶段模拟真实信号的脉冲宽度(含阈值)以对其中的可编程逻辑器件进行严格验证。首先研究引用标准正态分布随机生成脉冲宽度和间隔,并按照实际应用改进了正态分布算法。然后在对电子器件及IP核评估的基础上,通过SystemVerilog验证语言搭建验证平台,并使用改进后的算法生成验证激励。最后在某型应答机验证过程进行了应用,达到了高效、准确验证的目的。