场效应管设计

本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。     

高输入阻抗增强型PMOSFET的研制

本文概述了超高输入阻抗PMOSFET的设计与研制及目前达到的水平—阻抗最高达6×10~(16)Ω、弱电流时跨导达到20μΩ、开启电压2～3V.     

LY480高阻抗复合管的研制

本文介绍了高阻抗复合管的研制过程,包括结构多数的设计,工艺设计,以及研制结果。     

2DW_(232-236)~(14-18)型硅电压基准二极管的研制

本文介绍了２ＤＷ_（２３２－２３６）~（１４－１８）型硅电压基准二极管的研制过程及研制结果。     

增强型高性能场效应管

1 引言 近年来我国火灾报警器产量猛增,目前年产量已达40万～50万探头,仅亚运村用量就以千计。报警器是有社会效益和经济效益的产品,一次准确报警可为国家节约大量财富。场效应管在报警器中起弱电流放大作用,是关键部件。它的性能直接影响报警的准确率。直到1991年DATA手册尚未出现高BV_Gs、高BV_Ds、高g_m同时具备的器件。本文研制的国产LY732场效应管其性能达到并在某些参数上超过了美国先进器件WM214的水平。     

Quantifying Discriminating Strength for Gaussian States

The discriminating strength DS(ρAB) induced by local Gaussian unitary operators for any(n + m)-mode Gaussian state ρABis introduced in [Phys. Rev. A 83(2011) 042325]. In this paper, we further discuss the quantity by restricting to Hilbert-Schmidt norm. The analytic formulas of DS for two-mode squeezed thermal states and mixed thermal states are given. Then, the relationship between DS(ρAB) and DS((I ? Φ)(ρAB)) for some special Gaussian channels Φ is discussed. In addition, DS is compared with Gaussian entanglement for symmetric squeezed thermal states.     

高输入阻抗MOSFET工艺探讨

本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有；栅氧化，蒸发，光刻。     

高输入阻抗MOSFET工艺探讨

本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有：栅氧化、蒸发、光刻。     

计算机辅助设计在集成电路制造工艺中的应用

本文结合作者在集成电路创造工艺中应用计算机辅助设计（以下简称：微电子工艺ＣＡＤ）所做的部分工作，着重介绍了目前较为成熟、且使用越来越广泛的集成电路全工艺模拟系统ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ。向读者介绍该系统在单管（场效应器件）和双极型电路（运算放大器）的工艺设计及工艺优化中的若干应用，从中可以了解到微电子工艺ＣＡＤ系统所能够提供给从事集成电路制造工艺的研究人员的数据信息量。