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1.
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。  相似文献   
2.
本介绍了多媒体消息系统的网络结构和技术实现,以及多媒体消息系统的功能和业务,最后描述了多媒体消息业务的若干应用。  相似文献   
3.
芯片毛细管电泳激光诱导荧光检测系统的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
芯片毛细管电泳分析系统在免疫测定、DNA分析和测序、氨基酸和蛋白质分析、生物细胞研究方面有广泛的应用前景。本文介绍了一种芯片毛细管电泳检测系统的设计及其硬件结构和信号处理软件,并给出在不同系统条件下的测试结果。  相似文献   
4.
以正硅酸乙酯(TEOS)和有机荧光染料(Calcein等)为原料,采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了有机/无机复合荧光粉。探讨了有机染料的掺杂浓度、反应体系pH值、H2O与TEOS的比值等控制参数对反应时间和材料性能的影响。利用XRD、TEM、PL光谱分析手段对纳米复合荧光粉的结构、粒度、形貌、光谱进行了表征。结果表明:制备的粉体在纳米尺寸范围内是透明的;材料的发射光谱为宽带,激发峰值波长为450nm,发射波长为520nm;峰值波长的位置不随掺杂浓度的变化而改变,但光谱强度会发生相应的变化;最佳掺杂浓度为5×10-4mol/L。  相似文献   
5.
本文介绍了多媒体消息系统的网络结构和技术实现,以及多媒体消息系统的功能和业务,最后描述了多媒体消息业务的若干应用。  相似文献   
6.
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路。该电路采用无运放的带隙结构, 避免了运放失调电压对基准源的影响。基于LITEON 1μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃-140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10^-6/℃, 完全满足AC/DC变换器对其性能的要求。  相似文献   
7.
首先介绍了智能卡和Java卡及其应用程序的开发步骤。具有STK功能的SIM卡(一般简称STK卡)和STKJava卡是智能卡技术和Java技术在移动通信领域的成功应用。最后详细描述了STKJava卡应用的开发过程。  相似文献   
8.
本文介绍了基于USB接口的无线传感器网络设计,结合ZigBee无线传感器网络和USB接口的优势设计了新的数据采集传输系统。阐述了系统框架和节点的软硬件设计,通过路由节点加多个传感器节点(RDF)的测试验证本系统达到设计开发的要求。  相似文献   
9.
毛细管电泳芯片微沟道内电场分布的数值计算   总被引:3,自引:0,他引:3  
在利用集成毛细管电泳芯片(CEchip)进行化学分析时,电动进样是重要的操作步骤之一。电动进样时,芯片的微沟道结构将产生复杂的电场分布,而电场分布将决定内部样品及缓冲液的流动模式,并最终影响样品的分离效率。实践证明,进入分离沟道的样品形状与样品的多少是影响分离效果的重要参数,而进样的形状主要是由沟道交叉口处的电渗流形状和外加电压大小决定的。到目前为止,对进样情况的研究都是依靠改变端口电压来尝试的,或通过计算机模拟来研究实验过程。Bier等[1]首次利用计算机模型研究电泳中的样品输运过程,Andreev和Lisin[2]提出了一…  相似文献   
10.
RS 485接口芯片中的迟滞比较器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于RS 485通信协议设计接收电路中的比较电路.比较电路采用带有源电流镜的折叠式共源共栅运放,单端输出,在折叠点处增加4个NMOS管为电路提供正反馈,并通过适当的调节其中2个的宽长比来改变迟滞电压的范围.采用CSMC 0.6 μm COMS工艺的HSpice仿真结果表明,此电路能够产生大约±200 mV的迟滞电压,并且当数据传输速率达到2.5 Mb/s时也能正常工作,比通常的比较器更能满足RS 485协议的要求.  相似文献   
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