靶面激光光斑尺寸原位测量的研究

提供了一种简便易行的靶面激光光斑尺寸原位测量的方法。从高斯光束的横向光强分布特性出发,建立了激光烧蚀斑半径与辐照激光能量、光斑尺寸、烧蚀阈值间的关系式,模拟分析发现辐照激光光斑尺寸对烧蚀斑半径随辐照能量变化曲线有较大影响。对于脉宽为2 ms,波长为1064 nm的激光,实验测量了不同能量激光辐照下相纸烧蚀斑半径,并用推导出的关系式拟合测量数据,获得了靶面处光斑尺寸和样品烧蚀阈值。同时,也测量了不同位置处的光斑尺寸和样品烧蚀阈值,对高斯光束束腰位置和样品烧蚀阈值的光斑尺寸效应进行了验证。研究结果表明该技术结果可靠,简单高效。该技术可以为高能激光与固体物质相互作用的基础研究和激光加工等应用领域中实现简单方便地测量靶面光斑尺寸提供帮助。     

基于IDBS的卫星数据广播系统及应用

介绍了IDBS的系统结构和协议层次，描述了采用多播数据缓存技术的IDBS系统结构，IDBS为高速英特网接入，多媒体技术应用提供了一种廉价、高效的途径。     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

先进、高效、团结、开拓——走访北京邮电大学-贝尔北方电讯 电信研究开发中心

微风拂吹、春意盎然,三月初的一天我们走访了北京邮电大学-贝尔北方电讯电信研究开发中心。它是邮电部下属的中国通讯领域第一家以合作形式建立的高新技术研究所,成立于去年7月。它的建立充分体现了北方电讯“向中国提供产品、服务和技术,以帮助实现电信发展目标”的承诺。     

微波定向能系统的聚焦辐射特性研究

依据口径天线的绕射理论，讨论了发射天线实现自由空间最大传输效率所必须的口径振幅和相位条件，证明了天线菲涅尔的聚焦特性是形成 高功率微波定向能的基础，并对聚焦特性进行了详细计算。     

现代军用通信设备结构设计新理念

科学技术在不断发展，军用通信设备结构设计的内涵也在不断丰富，时代在不断进步，人们对设备的审美要求越来越高，设计人员应顺应时代发展的潮流，积极吸收、采用新的设计理念。本文详细讨论了有关军用通信设备结构设计新理念的主要内容-创新设计、模块化设计、小型化设计、工业设计和超前设计。     

What Is Its Real Existing Form?——Theoretical and Experimental Studies on 2-Mercaptobenzothiazole

1 INTRODUCTION The study of heterocyclic molecules with aroma- tic rings and their absorptions on metals is of con- siderable importance from both theoretical and te- chnological points of view. These molecules are in- teresting because of their applications as corrosion inhibitors and flotation collectors, and their abilities to form self-assembly layers[1]. 2-Mercaptobenzo- thiazole (C7H5NS2, in the following MBT) is an important heterocyclic molecule, which can be used as corrosion …     

超高压高精度激光状态方程实验测量

材料高压下的状态方程（EOS）在天体物理、材料科学和惯性约束聚变（ICF）等研究领域中都是十分重要的。2004年在“神光”-Ⅱ装置上进行了单路倍频激光直接驱动的Al-Cu阻抗匹配靶实验和Cu-Al阻抗反匹配实验，目的是提高冲击波速度的测量精度和准确性，同时校验测量方法的实用性和可靠性。     

Recombination Efficiency in Double-Layer Organic Light-Emitting Devices

We analyse the influence of properties of organic/organic interface (OOI) on the characteristics of recombination efficiency of organic double-layer light-emitting diodes. Based on the disordered hopping theory model, spatial and energetic disorder of hopping states are also discussed for the case of space charge limited currents in hole transmitting layers but injection-limited currents in electron transporting layers. The results show that the recombination efficiency increases firstly and then decreases for different OOI parameters, and there is a maximum value changed with different spatial disorder parameters and energetic disorder scale. Different spatial disorder parameters make carrier mobilities change greatly, and the energetic disorder scale causes various localized state densities. Our calculated results are qualitatively in agreement with the experimental data.