多晶硅发射区中的少数载流子注入理论

本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子注入形式上完全相同的连续性方程,不仅得到了前人关于晶粒间界对少数载流子具有阻碍和复合双重作用的结论,而且成功地区分了不同晶粒间界对降低注入饱和少数载流子电流贡献的大小.其中,第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流.与此同时,本文还得到了能够降低注入饱和少子电流百分之十以上的有效晶粒间界个数与晶粒/晶粒间界界面态密度和晶粒大小之间的关系.     

多晶硅发射区晶体管的解析模型

在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数，建立了载流子传输机理的特征符号表示系统，给出了晶体管重要特性参数的解析表达式．应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系，并与部分实验结果进行了比较，得到了有关改善ＲＣＡ器件，ＨＦ器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论．     

集电极电流密度和基区渡越时间的解析模型

以小注入条件下的注入少子分布为初始值，本文依据送代法首次得到了适用于任意注入条件，基区从指数掺杂分布到均匀掺杂分布的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式．三次选代的解析结果与数值迭代结果比较表明：在注入发射结电压ＶＢＥ≤１．０Ｖ的情况下，三次迭代形成的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式有效．     

多晶硅发射区晶体管（PET）温度特性的解析理论分析

本文在已提出的综合解析模型基础上，引入各相关参数特别是多晶－单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果，给出了分析ＰＥＴ电流增益与温度关系的解析理论．以此为基础，详细分析了少子在多晶－单晶之间的界面氧化层两边界面态上的复合和少于以热发射的方式跃过杂质分凝和界面氧化层电荷形成的势垒并隧穿界面氧化层两种机理对ＰＥＴ电流增益随温度变化的影响，首次成功地把ＨＦ器件电流增益在高温区呈现出比普通金属接触晶体管温度系数大的实验结果归因于少子在界面氧化层两边的复合以及俘获截面与温度的关系σｐ．∞Ｔ－２．７，分析预示了界     

多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器件和ＨＦ器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理，得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论．     

不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型

本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.