空间光通信ATP技术应用与研究进展

针对空间光通信(FSO)中的关键技术——捕获、跟踪和对准(ATP)技术,描述了ATP主要的系统结构和实现方案,以及国内外在这一领域内的研究现状、研究方向和应用,同时介绍了时域、空域接收技术和混合结构(HFR)在科研与商业领域中应用的最新技术进展。     

微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.     

相位测量轮廓术中投影光栅的快速自校正

针对数字光栅投影的相位测量轮廓术系统,提出了一种投影光栅快速自校正的新方法。在实际测量条件下,严格约束测量系统间的几何位置是不现实的。因此,参考平面上的光栅条纹常表现为梯形畸变和周期展宽畸变,传统的标定过程难以完全消除。针对这些问题,设计了一种基于空间变换的投影光栅快速自校正方法。校正过程发生在投影仪光栅输出之前,与现有的补偿校正算法相比无需计算单像素点相位误差且不局限于特定相位计算方法,简单快捷,可在数秒内完成校正。在光栅投影三维轮廓测量实验中证明了该方法的有效性。     

空间光通信ATP技术应用与研究进展

针对空间光通信（FSO）中的关键技术--捕获、跟踪和对准（ATP）技术,描述了ATP主要的系统结构和实现方案,以及国内外在这一领域内的研究现状、研究方向和应用,同时介绍了时域、空域接收技术和混合结构（HFR）在科研与商业领域中应用的最新技术进展.     

自然背景条件下激光信号跟踪算法研究

信号跟踪是空间光通信ATP技术研究的主要内容之一.在自然背景条件下,由于环境噪声和背景噪声的干扰,使激光信号的跟踪变得困难.文中介绍的算法能在自然背景条件下,结合帧差法与阈值化方法自适应地跟踪激光信号,并通过实验验证了算法的有效性与稳定性.     

层绞式光纤带光缆的结构及套管设计的探讨

本文介绍了制造层绞式光纤带光缆的结构设计原理,通过对改性PP和PBT两种不同性能的光纤带套管材料的选择、不同尺寸套管的设计和性能比较,以及相关的试验,验证了当采用不同材料的光纤带套管时,光纤带光缆的性能变化。     

种子层对微晶硅锗太阳电池的影响

Using plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD） at 13.56 MHz,a seed layer is fabricated at the initial growth stage of the hydrogenated microcrystalline silicon germanium(μc-Si_1-xGe_x:H) i-layer.The effects of seeding processes on the growth ofμc-Si_1-xGe_x:H i-layers and the performance ofμc-Si_1-xGe_x:H p-i-n single junction solar cells are investigated.By applying this seeding method,theμc-Si_1-xGe_x:H solar cell shows a significant improvement in short circuit current density(J_sc) and fill factor（FF） with an acceptable performance of blue response as aμc-Si:H solar cell even when the Ge content x increases up to 0.3.Finally,an improved efficiency of 7.05%is achieved for theμc-Si_0.7Ge_0.3:H solar cell.     

Optical absorption enhancement of μc-SiGe:H films deposited via high pressure and high power

Hydrogenated microcrystalline silicon-germanium （μc-SiGe：H） films are fabricated by radio-frequency plasma-en- hanced chemical vapor deposition （RF-PECVD）. The optical absorption coefficient and the photosensitivity of the μc-SiGe：H films increase dramatically by increasing the plasma power and deposition pressure simultaneously. Addi- tionally, the microstructural properties of the μc-SiGe：H films are also studied. By combining Raman, Fourier trans- form infrared （FTIR） and X-ray fluoroscopy （XRF） measurements, it is shown that the Ge-bonding configuration and compactability of theμc-SiGe：H thin films play a crucial role in enhancing the optical absorption and optimizing the quality of the films via a significant reduction in the defect density.