液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性

通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分析,并对制成的条形激光器的电学和光学特性进行了测量。本文给出了这些研究结果。     

集成电路封装线系统性静电防护

文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防护、封装生产设备静电防护、工艺操作静电防护、电路包装和运输过程中的静电防护以及静电防护检测等多个环节。对这些环节的全面控制有利于消除静电对集成电路的损伤。     

Ni-Co合金+Au镀覆陶瓷外壳的引线键合可靠性研究

为了提高陶瓷外壳镀层耐高温变色、耐腐蚀以及长期贮存的能力,带金属零件的陶瓷外壳需采用Co含量在20%~40%的Ni-Co+Au镀覆结构,镀层经退火处理。研究分析了Ni+Au镀覆和NiCo+Au镀覆结构对铝丝楔焊和金丝球焊可靠性的影响,通过常温、300℃高温贮存1 h、300℃高温贮存24 h后引线键合强度变化、键合面的元素面分布进行量化比较。试验表明Ni+Au和Ni-Co+Au镀覆结构对引线键合强度和可靠性无明显影响;两种镀覆结构的外壳在键合时,键合工艺参数也不需要进行较大的调整;铝丝在Ni-Co+Au镀覆结构与Ni+Au镀覆结构上键合,在键合界面均会生成金铝金属间化合物,但只要金层厚度受控,均不会产生"Kirkendall"失效,相对来讲Ni-Co+Au镀覆结构的缺陷密度较低,生成金铝金属间化合物进程会慢些。     

液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究

我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—Al_xGa_(1-x)As异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,过渡层的厚度依赖于溶液的饱和度。还对外延片表面的沾污情况进行了观测分析。     

合金焊料盖板选择与质量控制

在平行缝焊、储能焊、玻璃熔封、激光焊、合金焊料熔封等密封工艺中,合金焊料密封是高可靠密封的优选工艺。文章针对合金焊料密封工艺中常遇到的密封强度、密封内部气氛、焊缝及盖板耐腐蚀、薄形封装易短路等问题,介绍了通过合金焊料盖板的选择,从而控制密封强度、密封内部气氛、耐蚀性能和电性能等的质量。     

关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究

研究了半导体激光器侧向调制相位不均匀的原因,提出了改善相位均匀性的途径,并在实验上得到了相位均匀的激光器.     

液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱

采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,该层的厚度依赖于溶液的饱和度.还对样品表面的沾污情况进行了观测.     

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的晶体缺陷,采用高分辨率形貌技术与金相技术进行了分析,证实普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的。根据获得的X射线形貌像,我们对n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中缺陷水平作出了评价。采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器。测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷水平的评价完全对应。     

高密度高可靠CQFN封装设计

文中阐述了高速、高性能集成电路所需高密度、高可靠的表面贴装型陶瓷封装,讨论了多层高温共烧陶瓷工艺如何设计与塑料封装QFN完全兼容。结合0.50 mm节距CQFN72外壳设计,就如何解决CQFN封装的散热、高频电性能、薄型封装的气密性和结构强度,以及封装电路的二次组装中助焊剂清洗不彻底、焊接层/焊点有空洞和桥连短路、焊点难检查和返工困难等问题进行了论述,为高密度、高性能、高可靠封装提供了新的封装结构和技术途径。