半导体气体敏感器

一、前言 最近,在电子设备的系统控制,信息处理,节省能源和环境保护等方面迫切需要各种敏感器。其中半导体气体敏感器,若适当地选择基体材料以及在基体材料中加入催化剂等就能使其具有如下特性:(1)对被检测气体具有选择性,(2)其特性随气氛温度和湿度等的变化稳定,(3)响应速度快,(4)对低气体浓度有高的灵敏度,(5)可逆性,(6)灵敏度随时间稳定等。因此,正在进行积极研究。     

压电陀螺敏感元件振梁振动节点测试方法研究

本文提出了一种测试压电陀螺敏感元件振梁振动节点行之有效的方法——传输比法,在振梁两端等长度改变支撑点到端头的距离,传输比最大所对应的支撑点,即为振动波节点.文章详细地叙述了实验原理、结果及误差分析.     

内圆切片机

<正> 半导体器件、IC、LSI等的基片材料,主要使用硅、化合物半导体(GaP,GaAs,Inp等)。这些基材料是从圆柱状晶锭上采用切片方式获得的。这种切片方式有多种,而半导体片子多用内圆金刚刀片切割。     

P型金刚石半导体的新稳定制造技术

金刚石不但作为宝右,而且利用它的硬度还有各种各样的用途。在电子学领域中正使用金刚石作为避免激光二极管过热的热沉。但构成金刚石的碳属于Ⅳ族,虽然与同族的硅和锗同样也可由价电子结合形成结晶,但现在基本上还没有使用它来作为制造电子器件的半导体材料。主要原因在于向金刚石内掺入受主或施主杂质原子的方法还没有确立。     

等离子蚀刻技术

<正> 为了替换湿法蚀刻技术,因而等离子蚀刻技术受到注意。最初,根据圆筒形等离子蚀刻装置,剥掉光致抗蚀剂,活跃地进行丁关于多晶硅、单晶硅、Si_3N_4膜等蚀刻技术的研制。因为利用等离子化学活性的纯化学反应,所以蚀刻的结果,在本质上与所使用的溶液有显著不同。而且对避免由废液引起的公害,废液处理     

低能氘团簇离子(d+3)诱发固体靶内D-D核聚变过程中的团簇效应研究

通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d⁺₃)与三个分立的氘核(3d⁺)在轰击吸氘固体靶时所发生的D-D聚变反应率的差别的研究，进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示，在10—40keV/d能区，每个氘团簇中的氘核(d⁺₃/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d⁺)所产生的聚变反应率.反之，在50—100keV/d能区，独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论. 关键词：     

InGaAsP/InP红外探测器

<正> 一、引言以 GaAlAs/GaAs 激光器作光源、雪崩光电二极管作探测器的波长0.8微米的光纤通信,目前几乎已处于实用阶段。另一方面,在光纤损失极低且无分散的波长范围(1.0～1.7微米)内的光源和探测器的研究还比较新,是近年来研究工作不断取得积极进展的一个领域。作为光源,已研制了在1.3微米振荡且寿命超过一万小时的 InGaAsP/InP 系统的激光器,显示了光明的前景,但在探测器方面还有许多问题,尚未得到     

硅靶存储管

存储图象用的单电子枪型S4096和双电子枪型S4103两种硅靶存储管已经研制成功,并已投入市场。它们都是1英寸直径的信号转换型存储管。S4096适用于电视图象的凝结、扫描转换、图象处理等方面;而S4103特别适用于扫描转换。这两种存储管的靶都是以硅片为材料,对氧化膜精细加工制成的。因为管子的存储容量约相当于2兆比特,所以能获得很高的分辨率(S4096:2200TV线/径;S4103:1600TV线/径,OWR法)。灰度等级为32—64级;连续读出时间,S4096管在15分钟以上,S4103管在60分钟以上;存储时间均长达3周以上。若使用低阻抗偏转线圈,可以进行任意扫描,当然也可以进行局部擦除、书写、读出,还能随机寻址。