磁场对抛物量子点中极化子内部激发态的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了外场对抛物量子点中极化子的激发态性质的影响,导出了强、弱耦合情况下极化子的第一内部激发态能量E1、激发能量ΔE、共振频率ω与量子点的有效受限长度l0、电子-声子耦合强度α以及外场B的关系。数值计算结果表明,不论强、弱耦合,磁场中量子点内极化子的λ、E1、ΔE和ω都随l0的减小而增大,而且都随回旋频率ωc(磁场B)的增大而增加。另外,在弱耦合情形下,λ、ΔE和ω均与α无关,而E1随α的增大而减小。相反,在强耦合情形下,λ、E、ΔE和ω均随α的增大而增加。     

磁场中准二维强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了磁场中无限势垒量子阱内电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态,得到了磁极化子的振动频率和自陷能随量子阱宽和磁场变化的规律.对CdF2/AgCl量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的振动频率和自陷能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子的振动频率和自陷能的贡献大不相同.此外,对以上现象进行了分析和解释.     

极性晶体中表面磁极化子的温度依赖性

本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面磁极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性.对AgCl晶体进行了数值计算.结果表明,极化子的振动频率和诱生势随温度的升高而减小.     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

Influence of Rashba SOI and Polaronic Effects on the Ground-State Energy of Electrons in Semiconductor Quantum Rings

The influence of Rashba spin-orbit interaction （SOI） and polaronic effect on the ground-state energy of electrons in semiconductor quantum rings （QRs） are studied by means of the Lee-Low-Pines variational method. Numerical calculations for GaAs QRs are performed and the results show that the ground-state energy of electrons splits into two branches as E（↑） and E（↓） under the Rashba SOI, which correspond to the spin-up state and spin-down state, respectively. The contribution of the Rashba SOI effect to the ground-state energy of electrons is related to the spin state of electrons and is closely linked to the inner and outer radii of a QR. However, it is independent of the height of the QR. The ground-state energy of electrons decreases due to the polaronic effect in QRs. The energy shift ＆#8710;Ee-LO of the ground-state of the electron induced by the polaronic effect decreases monotonically with increase of the height of a QR and fluctuates with the changes of the radii of QRs. The amplitude of the fluctuation is very sensitive and remarkable to the changes of the inner radius R1 and the outer radius R2.     

基于Pekar类型变分法的高斯函数型限定势阱量子点中电子的跃迁

分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘状量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Pekar类型变分法推导出了电子的基态和激发态能量,并基于费米黄金规则讨论了在磁场作用下电子的跃迁几率。结果表明,高斯函数型限定势阱比抛物线型限定势阱更能精准反映量子点中真实的限定势;量子点的厚度对电子跃迁几率的影响显著;电声耦合强度α、磁场的回旋频率ω_c、抛物线型限定势阱范围R_0、高斯函数型限定势阱的阱深V_0和阱宽L等对电子跃迁几率Q的影响的量度和变化规律方面差异较大。     

极性晶体膜中电子—表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＫＣｌ晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相同     

CdF_2半导体中表面磁极化子的性质

本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算,结果表明,ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小,随磁场Ｂ的增加而增加;诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加,但与外磁场Ｂ无关;有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加     

变系数（2+1）维Burgers系统的精确解及特殊孤波结构

采用映射方法研究变系数（2+1）维Burgers系统,首次得到了该系统带有任意函数的一系列显式精确解。用图形分析方法对这变系数（2+1）维Burgers系统的部分孤波结构进行分析,揭示了该系统所具有的一种特殊孤波结构-平衡位置随时间变化的扭结孤立波。