排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 136 毫秒
1
1.
提出了一个模拟SiGe基区HBT器件特性的物理模型。在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了SiGe基区HBT器件的电流和电荷公式。同时开发了SiGe基区HBT的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的SPICE程序模拟了实际SiGe基区 相似文献
2.
3.
1