(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究

在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.     

用电涡流传感器测金属丝杨氏模量

介绍电涡流传感器测距的基本原理和用它测量金属丝杨氏模量的方法,并把实验结果与光杠杆法相比较。     

质子轰击条形GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH激光器低温异常伏安特性的研究

在室温至77K范围内,测量质子轰击条形GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器正向伏安特性,发现很多激光器在低温下产生负阻或击穿的异常特性,这可能是由于在GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结有数量较多的界面态以及N-Al_xGa_(1-x)As外延层掺杂浓度偏小造成的。在低温条件下,处于反向偏置的n-N异质结,由于上述原因而等效成为背靠背双肖特基二极管,当外加电压增加时发生热电击穿,出现负阻或电压跳变。