GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

云资源池安全部署方案解析

正1云资源池安全需求随着浙江电信云资源池的不断壮大,引发对云安全的更高要求,不仅要解决常规安全问题,更要对云带来的虚拟化能高效适应。云资源池在系统组成方面与传统平台建设最主要的区别就是将资源虚拟化形成统一的资源池,简化资源的配置与管理,提高硬件的利用率,从而实现云计算的灵活性与弹性。虚拟层的引入使以访问控制为核心的安全     

解读NFV与虚拟机误区运营商要避免再陷“软件垄断”

IHS近期发布的报告显示,包括硬件、软件和服务在内的全球NFV市场规模,将在2020年达到155亿美元.近年来,移动运营商在软件领域的投入要远远大于在服务器、存储以及交换机硬件方面的投入,足以见得电信行业想通过NFV技术将重心从硬件转移到软件的决心.     

软件定义改变供给方式实现IT资源精准分配

企业IT数字化转型的意义,就是IT资源可以精确化按需分配,这也是云计算核心理念的体现,是云计算的升级版.通过软件定义资源,可以更加细分资源,做小颗粒度,能更精确地分配资源,实现更准确按需的要求.IT在数字化转型的过程中,最核心的是改变IT基础设施的提供方式,实现资源的按需分配、快速供给、简单配置、灵活使用,达到资源随选的目的.     

中国电信自研OpenStack在浙江电信率先应用

中国电信作为OpenStack的黄金会员,从2013年开始自研OpenStack,到2015年开始部署商用,经过2年的实践和现网运营,中国电信已经建立起真正开放、立体的云计算架构. 中国电信OpenStack是在中国电信集团的牵头下,主要由中国电信系统集成公司研发、浙江公司等省公司参与的项目.     

超远距离双活安全资源池及按需分配的应用框架

正1引言为响应国家信息化、云计算技术应用建设,中国电信从2009年开始启动云计算技术的应用研究,在集团统一指导下,2011年浙江电信初步建成承载电信业务系统的云计算资源池,解决传统IT建设碰到的烟囱模式问题,提高IT系统的资源利用率。随着云资源池承载越来越多的业务平台和客户IT系统,传统云资源池构建方式越来越难满足多租户服务的需求,迫切需要浙江电信进行云资源池架构和技术深化发展。主要存在以下问题。     

利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺

贯穿晶片的背面通孔已成为ＧａＡｓＭＭＩＣ和功率ＭＥＳＦＥＴ的有效接地方式。本文介绍了利用Ｃｌ２／ＳｉＣｌ４作为反应气体，以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁，孔的横向侧蚀小，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了良好的均匀性和重复性。     

两级GaAs单片功率放大器

本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.     

运营商SD-WAN部署的难点分析

通过分析Google SD-WAN在其B4网络上的部署方法,借鉴其如何帮助用户降低广域网的开支和提高其自身广域网连接灵活性,建立SD-WAN国内广域网上应用的模型,从智能化网络、数据分级、应用承受度3个维度分析了国内SD-WAN应用可行性,提出了SD-WAN作为可“共享网络”在互联网数据中心(IDC)的应用方式.     

用于移动通信的GaAs单片功率放大器

简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，均匀性、重复性好，工艺成品率高。