富勒烯C20四聚体的结构与性能研究

采用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函(B3LYP)方法, 在6-31 G基组水平上对C₂₀四聚体进行了几何参数全优化, 得到了基态构型, 并对其稳定性、电子结构、极化率和芳香性进行了计算研究. 结果表明: C₂₀碳笼以[2+2]加成方式结合形成C₂₀四聚体, 具有良好的热力学稳定性; C原子内部以sp²的方式杂化, C原子之间有少量电荷转移; C₂₀ 四聚体的IR和Raman光谱都有较多的振动峰; 随碳笼数的增加, C₂₀聚合物中原子间的成键相互作用随之增强; C₂₀四聚体具有芳香性.     

自动量程切换电压测量系统设计

电压测量是电子系统中不可或缺的一项技术,随着待测电压动态范围的急剧扩大,需要能实现量程自动切换的测量方法。提出一种自动量程切换电压测量系统的设计方法,该系统基于程控增益放大器器件,使用单片机控制其增益实现量程的自动切换。针对信道误差、温度漂移等问题,采用通道自校准技术,降低了信道对于测量的误差。通过对实际软硬件的测试表明,该系统能准确根据大小信号调整量程,并对系统及环境误差有一定的抗干扰能力。     

激光刻蚀法制备仿生超疏水表面的研究进展

超疏水表面因具有滑移减阻、防腐蚀、防摩擦等良好的性能，获得广泛的关注。激光刻蚀超疏水表面具有可控、简单、稳定、环保等优点，有望实现工业化生产。首先梳理了超疏水表面的理论模型与影响因素，概述了国内外激光刻蚀超疏水表面的方法，讨论了飞秒、皮秒和纳秒激光制备超疏水表面的优缺点, 最后提出了激光刻蚀超疏水表面技术的展望。今后的研究应该坚持以降低生产成本、减少工艺步骤、提高生产效率、绿色节能环保等为基础，着重提高表面微结构的稳定性与持久性。超疏水表面将朝着多功能化与智能化的方向发展。     

应用电镜及电镜原位杂交法观察和分析SARS-CoV在人体细胞内的定位

本文通过电镜及电镜原位杂交方法,观察和分析SARS患者外周血淋巴细胞和SARS尸体解剖肺组织内的SARS CoV病毒颗粒的分布,并对SARS CoV病毒颗粒进行定性鉴定。在SARS患者外周血淋巴细胞和Ⅱ型肺泡上皮细胞内均发现了SARS CoV病毒样颗粒,直径大小80～120nm,圆形或椭圆     

集电极取样电路具有缺陷的晶体管特性图示器改进方法

JT-1型晶体管特性图示器由于其读测简便、直接显示的优点而被广泛采用，但有的晶体管特性图示器集电极取样电路设计具有一定的缺陷，会给测量带来严重的影响。本提出了自己的观点，并给出了改进方法。     

激光脉冲频率对不同衬底上非晶硅薄膜晶化的影响

应用不同频率的YAG激光分别对单晶硅及多晶硅衬底上的非晶硅薄膜进行了退火处理。晶化后的非晶硅薄膜的物相结构和表面形貌用XRD和AFM进行分析。XRD测试结果表明:随着激光频率的增加,两种衬底上的非晶硅薄膜晶化晶粒尺寸均出现了先增加后降低的现象。所有非晶硅样品的衍射峰位与衬底一致,说明非晶硅薄膜的晶粒生长是外延生长。从多晶硅衬底样品的XRD可以看出,随着激光频率的增加,激光首先融化衬底表面,然后衬底表层与非晶硅薄膜一起晶化。非晶硅薄膜最佳晶化激光频率分别为:多晶硅衬底20Hz,单晶硅衬底10Hz。     

AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究

本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小.高漏极电压下自加热效应是导致电流坍塌的一个重要因素.随着界面热阻的增加,器件跨导降低,阈值电压增大.同时,由于工作环境温度的增高,器件随之温度增高,载流子迁移率会显著降低. 最终这两种因素会引起AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件显著的电流坍塌效应,从而降低了器件整体性能. 关键词： AlGaN/GaN HEMT 器件 热电子效应 自加热效应 电流坍塌效应     

瑞利散射多普勒测风激光雷达的校准

 在进行实际风速测量之前,对于新研制的测风激光雷达系统进行校准,可以验证并提高风速测量的准确性。根据瑞利散射多普勒激光雷达的测量原理,提出了利用瑞利散射谱和米散射谱之间的关系,采用运动硬目标实现对瑞利散射多普勒测风激光雷达进行校准的方法。设计了对瑞利散射多普勒测风激光雷达进行校准的实验系统,并给出了详细的校准步骤。     

AIGaN／GaN高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究

本文系统研究了A1GaN／GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律．研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小．高漏极电压下自加热效应是导致电流坍塌的一个重要因素．随着界面热阻的增加,器件跨导降低,阂值电压增大．同时,由于工作环境温度的增高,器件随之温度增高,载流子迁移率会显著降低．最终这两种因素会引起A1GaN／GaN基高速电子迁移率晶体管器件显著的电流坍塌效应,从而降低了器件整体性能．     

高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系

分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究。仿真结果表明:具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差最大,有利于存储信号的分辨,提高电路的效率。通过改变该结构中低Pr层的Pr,Ec等铁电材料参数,发现在3~4V间饱和极化,该结构的铁电场效应晶体管的漏极电流输出特性比较稳定,减小了对材料、工艺、Ps/Pr及Ec的依赖性和敏感性,具有易于制造和便于电路设计的优点。