基于Colley-Tukey算法对GPS捕获过程的优化

根据GPS捕获过程中相关运算的计算速度要求,针对常用的频域FFT算法速度快但规定采样点的点数N必须为2的整数幂的缺点,分析了如何利用Colley-Tukey算法对部分可分解的N值的相关运算进行优化,从而在时域算法保证精确度,同时又在速度上接近FFT算法.最后在Matlab环境下对算法进行了验证.     

金属薄膜厚度小于电子自由程对其光反射率的影响

提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明:当膜厚小于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小|当膜厚大于或等于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子的平均自由程与块状材料一样.利用薄膜中电子平均自由程的计算公式,修正了薄膜导电率的基本理论表达式,再利用金属薄膜的反射率与薄膜导电率的关系,得出金属薄膜厚度对其光反射率的影响.计算机模拟表明:当薄膜厚度小于电子自由程时,金属薄膜反射率随薄膜厚度变化而呈非线性关系.     

基于电力电子系统PID控制的研究

温度的测量和控制在工业生产过程中有着广泛的应用,尤其在石油、化工、电力、冶金等工业领域。温度控制对产品的质量和工业生产过程的顺利进行有着很大的影响。随着微电子和嵌入式技术的迅猛发展以及自动控制理论的不断完善,温度控制系统也正朝着更加智能化的方向发展。文章介绍了沼气发电机组冷却系统的温度PID控制方法,针对现有温度PID控制方法存在的问题,总结了温度PID控制方法的优化方法及研究发展趋势,并提出了温度PID控制方法优化的途径,研究了混合型模糊PID控制器,在此基础上设计了基于ARM的沼气发电机组冷却系统温度PID控制系统,包括总体设计和各模块电路设计,对该系统进行了测试并得出结论。     

基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究

利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜, 并对其超快光学特性进行了研究. 温度和激发功率有关的发光特性表明: InGaAsP材料以自由激子发光为主. 室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns, 且随激发功率增大而增大. 发光弛豫时间随温度升高呈现S形变化, 在低于50 K时随温度升高而增大, 在50–150 K之间时减小, 而温度高于150 K时再次增大. 基于载流子弛豫动力学, 分析并解释了温度及非辐射复合中心浓度对样品材料载流子发光弛豫时间S形变化的影响.     

冰箱、冷柜噪声检修流程及工艺

冰箱冷柜的噪声主要来源于压缩机、蒸发器或冷凝器的热胀冷缩；管路之间的碰擦或共振；制冷剂在管路的流动；以及冰箱、冷柜放置不平而产生的振动等     

理顺服务间的依赖关系提高系统灵活性

针对应用系统开发和维护过程中服务对象修改的波动效应,提出了建立基于J2EE的层次结构模型,用层次结构的对象框架对服务进行管理,通过对包间依赖性、类间依赖性、方法间依赖性进行分析,得出层次结构的依赖关系,为了消除层间循环依赖性和非层间的依赖性,给出了接口、委托、相识、事件处理等消除依赖性的方法,进而提高系统的可理解性、灵活性和可维护性,最后给出了层次结构设计的一般原则.     

与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能北大核心CSCD

采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。     

金属薄膜厚度小于电子自由程对其光反射率的影响

提出了金属薄膜厚度对薄膜中自由电子的平均自由程影响的物理模型,并给出了薄膜中自由电子的平均自由程的修正公式.理论研究表明:当膜厚小于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子平均自由程随膜厚的减小而减小;当膜厚大于或等于自由电子的平均自由程时,薄膜中电子的平均自由程与块状材料一样.利用薄膜中电子平均自由程的计算公式,修正了薄膜...