毫米波波导到微带转换的研究

本文应用谱域法结合留数计算理论计算了Ka,Q和W波段微带到矩形波导转换的输入阻抗。分析中考虑了介质层的影响。其中ka波段的计算结果与文献发表结果相比一致性较好，研究了微带长度和短路面位置对输入阻抗的影响，并且对传换结构尺寸进行了优化，给出了三个波段的最佳结构尺寸。     

SK8050S特性及其实验研究

SK8050S是由Sanken公司生产的5V他励开关稳压芯片。详细介绍了SK8050S的电气特性并对其工作效率和稳压性等主要参数进行了实验研究。文中给出了具体的实验电路和测试方法，实验结果表明SK8050S在工作效率和稳压性方面远远超过目前通常使用的三端稳压器L7805，能够输出高达3A的电流且电压稳定在5V。效率可高达91％。     

分析非线性电路的谐波平衡法的改进

本文根据分析微波非线性电路的基本方法之一谐波平衡法,提出了一种加速收敛过程的改进方法,并且将其应用于微波混频器的非线性分析。在分析过程中引入了混频二极管非线性特性由时域到频域的简化变换技术,大大加快了计算速度。分析结果与已发表的结果相比较,一致性较好。这种改进的分析方法也可以推广应用于包含多个非线性器件的非线性电路的计算机辅助分析。     

2.5Gb/s CMOS低噪声有源电感反馈跨阻放大器

分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具有61.8 dB的跨阻增益,2.01 GHz的带宽,输入等效噪声电流为9.5 pA/Hz～(1/2),核心电路功耗仅为3.02 mW。     

2.5Gb/s CMOS光接收机限幅放大器

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了光接收机限幅放大器.该放大器采用全差分结构,利用退化电容技术增加高频时放大器的等效跨导,并在Cherry-Hooper结构里引入有源电感反馈代替传统的电阻反馈来扩展带宽.Hspice仿真结果表明限幅放大器具有46dB的中频增益、3.2GHz带宽,当输入电压信号从3.6mVPP到1.7VPP变化时,50Ω负载线上的输出电压限幅在340mVPP,输出眼图稳定清晰.核心电路功耗20.431mW.     

Probe R-Parity Violating Supersymmetry in Forward--Backward Asymmetry

We investigate the possibility of probing R-parity violating interactions in forward-backward asymmetries, and conclude that the Tevatron collider is the best place to measure new interactions involving the first generation of quarks. With additional down type squark ~dk contributions, the charge asymmetry in e＋e— events around Z-pole mass region at the Tevatron will be sensitive to R-parity violating couplings λ’11k, which was inaccessible to the LEP Qfb had inclusive measurement. Assuming no apparent deviation from SM prediction is observed, λ’11k〈 0.19 at 95% C.L. with squark mass Mdk=100 GeV can be derived.     

精密可控误差补偿微位移器试验研究

利用压电陶瓷逆压电效应研制成功了精密可控误差补偿微位移器。经试验测试，其静动态特性均达到理想程度，可以作为执行件用在刀具磨损、热变形以及主轴回转误差等补偿控制系统中，也可用作精密车床的微进给装置。     

SC—01型机电系统控制板的设计与实验研究

设计了一种基于AT89C51单片机的SC-01型机电系统控制板。该控制板由AT89C51单片机、程序存储器模块、A/D模块、D/A模块和串行通信模块组成。这里详细介绍了各扩展模块电路的工作特性,并分别对该控制板的CPU模块、D/A模块、A/D模块、串口通信模块进行了实验研究,结果显示该控制板能稳定地实现预期功能。该控制板功能齐全、结构紧凑、经济实用,可以应用于工控领域,也可以用于培训和教学实验。     

一种CMOS工艺低电压带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.