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重掺单晶一些独有的特性,能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究,主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面,通过实验分析,选取了适宜的掺杂方式与拉速,最终生长出外形良好,符合电阻率目标要求的单晶。 相似文献
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在直拉单晶炉中使用一种减薄型加热器替代原加热器,改变了单晶炉的热场温度分布。通过有限元模拟分析软件对减薄型加热器进行模拟分析,模拟结果指出减薄型加热器对提升单晶拉速、降低单晶炉功耗具有促进作用。通过对比两种加热器装料量,并进行单晶生长对比实验,实验指出,减薄型加热器在引晶、等径、收尾阶段均降低了功耗,提升了拉速。最后,数据分析指出减薄型加热器的经济性比原加热器有一定提升。 相似文献
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超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清... 相似文献
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在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻<111>晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对<111>晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。 相似文献
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阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-xGex单晶生长的过程。借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况，并通过分析发现了原有热系统的不足。重新对原热系统进行了改造，添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置，使原来的敞开式热场变为密闭式热场，满足了SihGe；单晶拉制的要求。通过具体实验和数值模拟结合，分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响，发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题。 相似文献
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在CG6000型单晶炉原350 mm(14英寸)敞开式热场上添加具有保温和导流作用的热屏装置,并改进计算机自动控制参数,解决了原敞开式热场下硅单晶拉制过程中产生扭曲变形的问题,生长出了外形完好,高质量的<111>晶向75～80 mm(3英寸和4英寸)硅单晶。同时对敞开式热场下硅单晶棒体扭曲变形的原因及热屏装置对硅单晶生长区域温度分布和温度梯度的影响进行了分析和探讨。 相似文献
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介绍了热系统在直拉硅单晶中的作用,对比了石墨与碳/碳复合材料的生产过程和性能特点与差异.通过在单晶炉上的实验应用,证明了碳/碳复合材料比石墨材料具有更好的实际应用效果,在直拉硅单晶领域具有很好的应用潜力.分析了碳/碳复合材料的一些不足,并提出了相应的解决方案. 相似文献
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