超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P⁺栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO₂界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法.     

TD-LTE室分建设中的干扰抑制方法

TD-LTE室内分布系统建设中遇到的干扰问题可分为系统间干扰和系统内干扰两部分。系统间干扰主要包括杂散干扰、互调干扰、阻塞干扰三种,在室分系统中三种干扰会同时影响网络性能;系统内干扰主要是采用OFDM技术带来的多邻区同频干扰。文章主要对TD-LTE室内分布系统建设中遇到的干扰问题进行分析并提出了初步的解决方案。     

影响PMOSFET中NBTI效应的相关因素研究

在PMOSFET上施加负栅压和高温应力后，出现的NBTI效应是超深亚微米MOS器件中重要的可靠性问题之一。研完了NBTI效应对PMOSFET器件参数的影响及其产生机理；基于NBTI效应的产生模型，分析了Si／SiO2界面处氢、氮和水等相关因素对NBTI效应的影响；介绍了减小NBTI效应的方法。     

TD-LTE室内分布系统站点选取方法及软件实现

根据湖北移动TD-LTE室内分布建设的实际工程经验,建立一个室内分布站点规划评估模型并用MFC软件进行实现.评估模型从场景、面积、投诉、流量、地市GDP、竞争对手建设情况等6个维度对待选站点进行量化考核,直观反映出待选站点的重要程度.为了便于实际应用,开发一款基于对话框的MFC程序,利用ODBC类中标准的API,直接读取Excel表格,按照评估模型输出待选站点的综合得分,从而为规划人员提供重要的参考依据.     

风力机叶尖加小翼流场的试验研究

叶尖加小翼可以提高风力机的功率系数.本文在风洞开口试验段利用PIV技术,对旋转风力机叶尖加装V型小翼时叶片和小翼周围的流场进行了实验研究.比较加小翼和不加小翼时的流场图,发现加上小翼后,叶尖部分的流场得到了改善,小翼对风力机的主要影响范围是从截面r/R=0.86到1.04之间,约占主叶片长度的14%左右.     

住宅小区深度覆盖剖析

重点从传统室内覆盖、宏站覆盖、室外对打覆盖三方面论述了室内外协同覆盖的设计方案和效果,同时对微型CAN天线覆盖、光纤分布系统覆盖和Femtocell覆盖等几种住宅小区覆盖方法进行深度分析,总体来说,室内外协同覆盖是最有效的解决手段,其他各类方式是住宅小区覆盖的有意补充.     

农村WLAN建设发展探析

由于农村地区具有地形环境复杂和人口居住地较分散等特点,因此在农村地区的宽带网络建设中将遇到众多的新问题。针对农村地区的特点,提出采用WLAN进行农村宽带建设,探讨在农村地区建设WLAN过程中所采用的建设模式,经测试证明该建设模式提高了覆盖能力,提升了用户体验,设备可靠性稳定。     

WLAN对无线智能终端发展的促进作用

无线智能终端改变了人们信息获取和传递的方式,对人们的生活和工作产生了深远的影响,而WLAN与其它无线技术相比,能为用户带来更好的使用体验,两者的结合更有利于彼此的发展。通过对WLAN技术特点和应用场景的介绍,分析了在移动互联网与无线智能终端联系日益紧密的背景下,WLAN技术具有的更高上网速率、越来越多的覆盖范围等优点,为无线智能终端及其应用模式的发展提供了优良的网络平台,对其有积极地促进作用。