改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响

为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.     

晶体生长过程中首先凝固点的实验观察

由于技术上的原因,"首先凝固点"很难观察到.通过在Bridgman法生长HgCdTe晶体过程中进行淬火,观察到尺寸较小的"首先凝固区域",其固液界面为凹形抛物面.     

固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程

叙述了固态再结晶生长碲镉汞晶体的生长方法 ,讨论了固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程和消除树枝结晶的机理及实验结果。简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe(组分x≈0.20）晶体．采用加压技术,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压,有效地避免了石英安瓶的爆裂;采用“二次配料”工艺,大大降低了生长温度;合理选择温度梯度和生长速度,获得了有较好结晶性和组分均匀性的HgCdTe晶体．分析表明：HgCdTe晶片的载流子浓度n77≤4×1014cm－3,迁移率μ77≥1×105cm2／（V*s）,少数载流子寿命值τ≥2.0μs,80K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率D为1.1×1010cm*Hz1／2／W．     

高帧频384×288长波数字红外焦平面探测器

高帧频红外焦平面探测器在红外武器系统、光谱成像和高速测温中有着重要应用.目前,我国高帧频红外焦平面技术还比较落后,这严重制约着我国高端红外武器装备、光谱成像技术、高速测温仪器的发展.针对高帧频红外成像应用,设计并流片加工了一款384×288面阵、像元间距为25 μm的数字读出电路,与长波HgCdTe红外探测器芯片进行倒装互连,形成混合探测器芯片,并封装于金属真空杜瓦中,再配置斯特林制冷机,成功研制出了高帧频384×288长波数字红外探测器组件.经测试,所研制器件最高帧频达到1012 Hz,噪声等效温差(NETD)为16.8 mK,动态范围达到95.2 dB.采用所研制器件成功捕捉到了打火机点火瞬间的红外图像,该图像清晰呈现了火焰产生、迸出的过程,获得了良好的成像效果.     

Hg0．8Cd0．2Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数

在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg0.8Cd0.2Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表达式。实验结果与所得表达式的计算结果能够很好地相符。     

HgCdTe固态再结晶技术工艺改进

ＨｇＣｄＴｅ固态再结晶技术主要包括合成－淬火－退火三个过程,文中对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的结果。用这种方法制备的ＨｇＣｄＴｅ材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器。     

HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成-淬火-退火三个过程,本文对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器