环境友好阻燃环氧树脂覆铜板研究进展

论述了环境友好阻燃环氧树脂覆铜板研究开发的意义。提出通过开发并使用含氮、磷或硅的非卤阻燃型环氧树脂,含磷、氮或磷-氮的功能性阻燃固化剂和在体系中添加有机磷阻燃剂、氢氧化铝等无机阻燃剂等途径来开发环境友好阻燃环氧树脂覆铜板。并对我国在今后该领域的研究作了展望。     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.     

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.     

STUDIES ON CHARGE TRANSFER POLYMERIZATION——POLYMERIZATION OF ACRYLONITRILE INITIATED WITH PHENYL HYDRAZINE AND ITS DERIVATIVES

The photopolymerization of acrylonitrile (AN) initiated with phenyl hydrazine (PHZ) and its derivatives has been studied. The initiator exponent and monomer exponent were determined from the kinetic investigation to be 0.66th and 2.1th respectively and the overall activation energy was 33.4KJ/mol for the PHZ-AN system. Spectral analysis and other data indicate that a charge transfer complex between PHZ as a donor and AN as an aceeptor is formed. The initiation mechanism was proposed.     

热退火对 InGaN薄膜性质的影响

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.     

高碳铬铁在氢氧化钠水溶液中电化学氧化过程

铬铁电化学氧化法是一种新的制备铬酸钠的方法,然而高碳铬铁在NaOH水溶液中的电化学氧化过程尚不明确。 采用循环伏安法(CV)、稳态极化法(LSV)等电化学测试方法对金属铬、高碳铬铁在NaOH水溶液中的电化学氧化过程进行研究,通过扫描电子显微镜(SEM)、能量散射谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)对高碳铬铁电解后固相产物表征,判断固相产物的组成。 结果表明,高碳铬铁不同于金属铬的电氧化过程,它在NaOH溶液中通过Cr(0)→Cr(Ⅵ)的电氧化方式生成铬酸钠,中间产物Cr(OH)₃和Fe(0)发生电化学反应生成稳定的FeCr₂O₄。 随着NaOH浓度的增加,电势较低时,受高碳铬铁中Fe(0)的影响,高碳铬铁容易在NaOH水溶液中发生钝化;当电势足够正时,钝化膜溶解,生成铬酸钠、氢氧化铁和亚铬酸亚铁,同时,阳极表面有氧气析出。 高碳铬铁电化学氧化制备铬酸钠的适宜条件:碱浓度≥2 mol/L,阳极电势≥1.6 V(vs.SCE)。     

聚全氟乙丙烯树脂中六氟丙烯分布问题的探讨

<正> 聚全氟乙丙烯树脂(以下简称FEP)是四氟乙烯与六氟丙烯的共聚物.目前对FEP尚无适当溶剂,所以不能用C~(3)高分辨NMR测定共聚单体在共聚物中的分布,故采用X射线衍射方法测量晶格常数和结晶度,以及密度与熔点的测定,对国产不同聚合体系FEP中的六氟丙烯分布问题进行探讨. 图1比较了聚四氟乙烯(PTFE)及FEP的X射线衍射谱(23℃)。在FEP共聚物中除了(100)晶面衍射峰外,尚有微弱的(110),(200)等晶面衍射峰,可以看出,FEP的行     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.     

铝电解电容器盖板绝缘性与电解液的关系

研究了铝电解电容器不同盖板材料在不同电解液中的温度特性曲线,找出了国产盖板材料存在的缺陷,即国产电容器盖板在有电解液的高温环境中,绝缘性明显降低。在高温下材料绝缘性的丧失是电容器阳极腐蚀的主要原因。对比了进口和国产板材的lgr-t曲线图。在电容器中多余电解液是有害无益的,是铝电解电容器电化学腐蚀的温床。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.