铜锡合金纳米粒子的制备和性能研究

通过化学还原方法制备了铜锡合金纳米粒子,并研究分析了其的尺寸和热学性能。铜锡纳米粒子的X射线衍射分析结果显示,合成产物主要是锡纳米颗粒和铜锡合金(Cu6Sn5)纳米颗粒组成,且这些纳米粒子并未被氧化。其示差扫描量热法测得结果表明,本次合成的纳米颗粒的熔点为202.98 ℃,适合现代电子封装技术对低熔点封装材料的要求。     

具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析

主要分析了具有p-ALGaN/GaN超晶格的360 nmGaN基LED的光学性能。插入的p-ALGaN/GaN超晶格结构可以看做是提高空穴注入的空穴限制层。经过PL测试发现,PL谱出现了明显的双峰以及蓝带发光,前者是由插入的超晶格引起,而蓝带荧光则是由超晶格中深能级N空位与Mg浅受主能级之前的辐射跃迁引起的。     

InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器

介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化.制备了光敏面直径为20 μm及耗尽层厚度分别为1.0、1.3和1.5μm的器件.对比响应度和带宽的理论值与实测值,结果表明实测值与理论值相符...     

p-AlGaN/GaN超晶格做p型层350 nm紫外AlGaN基LED

使用p-AlGaN/p-GaN SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的AlGaN基紫外LED。[JP+1]由于AlGaN/GaN超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能。在工作电流为350 mA下发光亮度达到了22.66 mW,相应的工作电压为3.75 V,LEDs的光功率满足了实际应用需求。     

利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。