基于图像运动检测的子场编码优化算法

针对等离子显示器中运动图像产生的动态伪轮廓现象,提出了一种基于图像运动检测的子场编码优化算法。该算法在分析常用动态伪轮廓和运动补偿算法的基础上,通过检测图像数据的变化差值判断图像的运动状态,并通过图像运动状态选择不同的显示灰度构成方式:静态图像选择全灰度级编码,动态图像选择较少灰度级编码,通过优化编码方式消除图像的动态伪轮廓。实验表明,算法减少了不同运动速度的图像因算法引起的人工纹理,保证了静态图像的显示细节,达到改善显示图像画质的目的。此外,该算法还具有处理速度快,易于硬件实现等优点。     

基于实测校正因子的实时伽马校正算法

针对等离子显示器(Plasma Display Panel,PDP)反伽马校正过程中因荧光粉亮度饱和以及APL临界切换引起的灰度级失真和闪烁现象,提出了一种基于PDP发光特性的实时反伽马校正算法。该算法采用实测关键灰度级亮度和基于图像APL的校正因子补偿算法,通过实测亮度和灰度级之间的对应关系实现了灰度级的线性输出,引入校正因子消除了不同图像切换过程时的闪烁。50 in(1 in=2.54 cm)PDP实验结果表明,该算法能够减少大面积暗场区域存在的闪烁现象,消除显示图像输出灰度的失真和反转,增强显示画面的细节,提高显示画质。此外,算法采用分段式多项式拟合进行实时反伽马计算,使算法具有处理速度快,对电路依赖性小等优点。     

基于高温制备的氧化钙镁复合薄膜光电特性研究

采用电子束蒸镀工艺制备氧化钙掺杂氧化镁复合介质保护膜并深入分析了制备温度对该复合保护膜透过率及二次电子发射效率的影响。实验表明,高温制备能够使复合薄膜表面形貌更为致密,结晶粒径增加,薄膜的透过率和发光效率提高。当制备温度为300℃时,复合薄膜的形貌更为致密平整,裕度从25V增加到32V,发光效率从1.70lm/W提高到1.91lm/W,提高了12.35%。     

气体放电对 PDP 残像形成的影响及其改善研究

针对等离子体显示器维持期气体放电过程引起的PDP残像,研究了持续气体放电过程对残像可恢复性的影响以及相同放电条件下显示单元三基色亮度变化情况,分析了气体放电过程与PDP残像形成之间的关系,提出了通过调整PDP显示过程中工作气体的放电强度,补偿气体放电过程引起亮度差异的方法来减轻显示残像,改善残像对显示画质影响的方法。实验结果表明,该方法能够减少残像产生后的恢复时间,改善显示残像,提高显示图像画质。     

LVDS在等离子平板显示器数据传输中的应用

阐述了在PDP中接口电路和存储电路之间数据传输过程中遇到的电磁干扰等问题，并结合实际工作采用了低压差分传输技术，增强了PDP的数据传输中抗电磁干扰能力、提高了传输速度、增长了传输距离，实现了数据的高速率、低躁声、远距离、高准确度传输，消除了图像抖动，增强了图像稳定性。     

基于FPGA的PDP维持脉冲设计

介绍了PDP灰度级控制方法，对原设计作了改进并采用VHDL语言实现设计思想，对具体程序流程进行了阐述，结合FPGA器件和高压驱动电路得到光滑而平整的维持脉冲，从而实现了有效的灰度级控制。     

具有碳纳米管掺杂的场增强型DBD平面光源性能研究

为了降低介质阻挡放电平面光源(DBDL)器件的着火电压以及提高其发光效率,本文提出了一种掺杂型的具有场增强型结构的DBD平面光源,该结构采用碳纳米管(CNT)与荧光粉相混合,在荧光粉表明镀有一层厚度为40 nm的MgO薄膜以提高二次电子发射系数及降低气体放电中产生的离子对CNT的冲击.实验结果表明采用在荧光粉中掺杂CNT以及蒸镀MgO薄膜的DBD平面光源结构可以有效降低器件的着火电压和提高发光效率,同传统无掺杂的结构相比,在气压为50kPa的Ne-15％Xe混合气体时,掺杂比为1 ∶ 5000的DBD平面光源其着火电压降低了10％;在相同输入功率下,其亮度及发光效率提高了约20％.     

拼接式PDP数据传输中电磁干扰的消除

阐述了在拼接式等离子体显示器数据传输过程中遇到的电磁干扰问题,并结合实际工作从硬件的改进和软件的编程入手采用了低压差分传输和数字锁相等一些方法,增强了TSPDP的数据传输中抗电磁干扰能力,消除了图像抖动,增强了图像的稳定性.     

基于FPGA高速视频低压差分信号解码设计与实现

针对高温和电磁干扰等复杂环境对高速视频低压差分信号解码能力的影响,提出了一种高可靠性的FPGA解码解决方案.通过改善板上阻抗匹配、提高解码模块所在单元供电稳定性、增加解码程序的约束条件等措施,将FPGA串行解码理论频率从280 MHz提高到316 MHz,提高了12.86％.实验表明,改进后的设计能够在55℃高温和大电磁干扰的复杂环境下对视频数据进行正确解码,实现稳定的图像显示.     

纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响。实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长。常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高。