氮掺杂对4H—SiC电子结构的影响

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H—SiC的本征态的电子结构以及4H—SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明：与本征态相比,N掺杂后的4H—SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度：导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底...     

电脑小游戏与幼儿教育

玩游戏是孩子的天性，没有孩子会拒绝游戏，电脑游戏亦如此。电脑小游戏作为一种新兴起的游戏形式，以游戏简单、操作方便、绿色、无需安装等优点，受到了幼儿的喜爱。文章就电脑小游戏的分类、本质属性解读及在幼儿教育应用中应注意的问题进行了详细阐述。     

多媒体计算机辅助教学（MCAI）在幼儿教学中的应用

信息和网络技术的发展推动了现代教育技术的进步,作为一种新的技术,多媒体在现代教育领域的作用越来越明显,在幼儿教育中应用多媒体技术也成为一种新的趋势。文章主要讲述多媒体技术在幼儿教育教学中的应用,并结合相关实例进行阐述。     

一种抑制MANET网关洪泛策略

在MANET子网互连架构中,其网关发现采用洪泛通告报文的方式,所形成的广播风暴引起较大控制开销。由此提出一种动态自适应网关发现协议,该协议可根据MANET的移动节点信息自适应设置网关通告报文GWADV的TTL值和发送间隔,同时采用基于距离门限的动态计数DDC网关洪泛通告报文抑制策略。仿真结果表明,该协议可以有效地应对网关洪泛通告报文的问题,在保持较高分组投递率的同时,能够减小时延和控制开销。     

水氨或/和六甲基二硅氮烷表面处理碱催化二氧化硅增透膜结果的对比研究

针对溶胶-凝胶法制备的1/4波长二氧化硅增透膜耐环境性差的缺点,对其进行了水氨或/和六甲基二硅氮烷的表面处理,并对单一气氛处理和两种气氛联合处理后的膜层性质进行了对比研究.展现了膜层经各项表面处理后物理性质和微观结构的变化,以及两种气氛联合处理时因处理顺序不同而引起的最终结果的差异.研究表明:水氨蒸汽处理促进了膜层粒子间表面羟基的交联,膜层较处理前厚度降低,但耐摩擦性增强,光学透过率基本保持不变;硅氮烷蒸汽处理向膜层引入了甲基,膜层极性较低,粒子间作用力因此降低,耐摩擦性下降,但疏水性得到良好的改善;先水氨后硅氮烷蒸汽处理时,水氨蒸汽的前处理在提高膜层耐摩擦的同时降低了表面羟基的数量,使后续硅氮烷处理时强度降低,故两步处理后膜层保持了较好的耐摩擦性和一定的疏水性;而先硅氮烷后水氨蒸汽处理时,硅氮烷蒸汽的前处理明显改善了膜层的疏水性,却因膜层表面羟基减少、间距增大而降低了水氨蒸汽的处理强度,耐摩擦性虽有较大提高,但稍弱于单一水氨蒸汽处理时的耐摩擦性.     

水氨或/和六甲基二硅氮烷表面处理碱催化二氧化硅增透膜结果的对比研究

针对溶胶-凝胶法制备的1/4波长二氧化硅增透膜耐环境性差的缺点,对其进行了水氨或/和六甲基二硅氮烷的表面处理,并对单一气氛处理和两种气氛联合处理后的膜层性质进行了对比研究.展现了膜层经各项表面处理后物理性质和微观结构的变化,以及两种气氛联合处理时因处理顺序不同而引起的最终结果的差异.研究表明:水氨蒸汽处理促进了膜层粒子间表面羟基的交联,膜层较处理前厚度降低,但耐摩擦性增强,光学透过率基本保持不变;硅氮烷蒸汽处理向膜层引入了甲基,膜层极性较低,粒子间作用力因此降低,耐摩擦性下降,但疏水性得到良好的改善;先水氨后硅氮烷蒸汽处理时,水氨蒸汽的前处理在提高膜层耐摩擦的同时降低了表面羟基的数量,使后续硅氮烷处理时强度降低,故两步处理后膜层保持了较好的耐摩擦性和一定的疏水性;而先硅氮烷后水氨蒸汽处理时,硅氮烷蒸汽的前处理明显改善了膜层的疏水性,却因膜层表面羟基减少、间距增大而降低了水氨蒸汽的处理强度,耐摩擦性虽有较大提高,但稍弱于单一水氨蒸汽处理时的耐摩擦性.     

基于GPGPU光电材料的核多项式算法实现

在物理学中,对光电材料的量子系统晶格模型进行模拟是了解光电材料的量子特性最重要的方法之一。而模拟中的主要任务是计算电子态密度。这需要大规模的计算,因此它通常是在计算机集群、甚至是超级计算机下进行的。而随着GPGPU的发展,利用GPGPU强大的数据处理能力,采用合适的算法能极大地减少计算量。结果显示,与相同算法的CPU实现相比,GPGPU实现计算效率极大地提高了。