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介绍了Ti-Au,Ti-W-Pt-Au,Mo-Au,TiW-AU,TiW-Pt-Au等多种金属膜分别在400,425,450,475和500℃,30分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明,Ti由于在Au中扩散太快,阻挡性能较差而W,Mo,TiW都有较好的阻挡性能,结合实际应用,TiW-Pt-Au应是同波功率管的金属化的较佳选择。 相似文献
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挠性多层线路板已经厂泛应用在通信、航空航天等领域。但是随着板厚/孔径比的增加,孔金属化工艺越来越难,去钻污不净,沉铜不良,造成产品合格率大大下降。本介绍了挠性板生产的去钻污工艺。通过正交实验方法研究了孔壁凹蚀量与PI调整剂含量、添加剂含量、溶液温度、时间的关系,优化了PI调整液的工艺条件。结果表明:在PI调整剂含量400ml/L、添加剂含量40g/L、时间3min、温度45℃条件下去钻污结果最好。该法应用在2—4层线路板中,获得的孔壁干净,凹蚀量在13μm左右,沉铜层附着力好,大大提高了产吊合格率。 相似文献
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采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。 相似文献
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主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。通过优化此两个工艺,得到以下结论:当采用小电流密度、高pH值、干法刻蚀加湿法腐蚀的刻蚀方法时,能改善以金为主体的金属电极表面状况,电镀后得到粗细均匀的镀金层,刻蚀后表面没有残留物,大大提高了半导体芯片的镜检成品率。 相似文献
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采用射频(RF)反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si(100)和Si(111)衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了RF偏置功率对Si(111)和Si(100)衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响。结果表明,在RF偏置功率为5~15 W时,两种衬底均可生长(002)择优取向AlN薄膜。RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜(002)择优取向变弱,薄膜质量变差。当RF偏置功率为10 W时,Si(111)和Si(100)两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽(FWHM)值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm。 相似文献
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