室温长波MCT探测器研究

介绍了昆明物理所对室温长波Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器研究的进展情况。采用ＭＣＴ体晶材料已制备出室温８～１４μｍ光导探测器，其λｃ＝１１．６μｍ，Ｄ＊＝１．１６×１０７ｃｍＨｚ１／２／Ｗ。     

InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。     

InSb红外成象器的工艺进展

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。     

化学抛光InSb晶片的扫描电镜观测

本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接近1的表面。     

锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深.利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件.实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103 Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间.实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合.此工作对离子注入工艺有一定的参考价值.     

用离子轰击和激光照射的方法使InSb从p型转换为n型

有三种方法能在p型锑化铟(InSb)上形成n~+层。这就是:(1)以能量为60keV、剂量为1×10~(15)Cm~(-2)的质子进行轰击;(2)以能量为100keV、剂量为2×10~(15)cm~(-2)的硅离子进行轰击;(3)Q开关钕—钇铝石榴石(Nd:YAG)激光器照射。将晶片等时退火30分钟后研究了上述三种效应。(1)和(3)两者可以不经退火直接形成n~+层;而方法(2),开初产生p型层,经200℃以上的温度退火后才转换为n~+层。采用方法(2)和(3)得到的n~+层能够经受的退火温度达350℃;而用方法(1)得到的n~+层,当退火温度超过100℃时,又恢复为p型。采用方法(2)和(3)制备的台面型二极管,77K时,正向电流密度由J=1×10~(-3)exp(qV/1.7kT)A/cm~2确定;结电容与反向偏压之间的关系为C∝(V_D+|V|)~(-0.43)。其中扩散势V_D为0.2V。     

噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨

红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注.文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析.     

天文观测用InSb红外探测器系统的测试

1985年9月,我们测试了云南天文台进口的两套InSb光伏型红外探测器系统。并利用这两套系统做了许多红外天文课题的测量工作。InSb系统由三个主要部份组成:InBb探测器、金属杜瓦瓶和固定子杜瓦瓶一侧的前置放大器。InSb器件与场镜、滤光片和孔径滑块以及作为第一级前放的JFET均安装在致冷     

昆明物理所锑化铟红外材料、器件研究进展

简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展.     

天文观测用InSb红外探测器系统

本文简略地介绍了云南天文台1982年和1985年从美国红外实验室进口的两套Ihsb(锑化锢)光伏型红外探测器系统(以下简称为系统Ⅰ和系统Ⅱ)。重点介绍了InSb芯片及其主要的性能参数。对两套系统进行了测试,得到了相应的测试数据。最后简略地介绍了两套系统近期在天文方面的应用以及对InSb系统的评价。