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压电喷墨打印是制备印刷电子器件的主要手段之一,其墨滴喷射状态直接受压电波形的影响,因而压电波形对于器件打印具有重要意义。本文主要研究了压电波形对薄膜晶体管(TFT)电极打印效果的影响,实验通过改变压电波形的加压速率和脉冲持续时间,打印得到了一系列的电极样品,并对其图形效果及表面粗糙度进行了测量。实验表明,随着加压速率和脉冲持续时间的增大,墨滴喷出动能增大,最终打印的图形效果先改善后恶化,表面粗糙度则随之增大。在加压速率取值为0.08~1.65 V/μs、脉冲持续时间取值为1.216~2.688μs的区间内得到了失真程度较小的电极图形,在加压速率及脉冲持续时间分别为0.25 V/μs、2.688μs及0.65 V/μs、1.600μs时,电极图形化效果较好,表面粗糙度分别为59.04 nm和59.27 nm。通过对压电波形参数的合理设置,能够实现对打印图形效果的优化。 相似文献
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针对一般非线性不确定系统设计了一种e-修正神经网络直接自适应控制方法。首先采用虚拟控制量的方法,并将其分解成参考模型输出、线性动态补偿输出与神经网络自适应输出三项;然后针对传统σ-修正神经网络在权值更新时的不足,设计了一种基于e-修正方法的权值自适应更新律,并设计了输出反馈误差观测器用以对神经网络进行训练;最后对基于σ-修正与e-修正两种权值自适应更新律进行仿真对比。仿真结果表明基于e-修正神经网络方法在跟踪误差、不确定性逼近等效果上均优于基于σ-修正神经网络方法。 相似文献
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在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层, 制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT). Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散, 而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度. 制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu 结构TFT相比, 具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2 μm)、更低的接触电阻(~1072 Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2), 能够满足TFT 阵列高导互联的要求. 相似文献
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介绍了JDBC连接池的模型及其工作原理,通过对连接池的原理、控制参数的分析,提出了相关的优化措施,有助于改进连接池的性能,又可以提高Web数据库的访问效率。最后描述了在Web应用中使用连接池的条件,以及开发基于JDBC连接池的Web应用的基本过程。 相似文献
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证书撤销机制相关标准一致性验证 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了已制定和正在制定的PKI系列标准之间存在的一致性问题;研究了CRL格式在证书撤销机制相关标准中存在的一致性问题;通过在标准验证平台上开发相应的仿真验证程序,对CRL格式和CA密钥更新时CRL签名的有效性进行了标准一致性仿真验证。 相似文献
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提出了一种弱耦合领结型椭圆芯应力保偏少模光纤(PM-FMF),通过使用高折射率纤芯,所提出的光纤可在1505~1585 nm波段下,支持32个独立的本征模式。椭圆纤芯和领结型应力区的引入,有效地分离了相邻的本征模式。采用有限元法对领结型椭圆芯应力PM-FMF的纤芯及领结型应力区的结构参数进行优化。评估了光纤参数对模式数量、模式间的最小有效折射率差、模态双折射、应力双折射以及弯曲损耗的影响。此外还分析了该光纤的带宽性能,包括模式间的有效折射率、有效折射率差、差分模式时延(DMD)。经数据分析,在1505~1585 nm波段下,该光纤支持的32个本征模式是完全分离的,相邻模式之间的最小有效折射率差大于1.295×10?4。所提出的弱耦合保偏少模光纤能够提高传输容量,在本征模式复用传输中具有潜在的应用前景。 相似文献