C波段1瓦硅功率晶体管

<正> 一、引言硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到 C 波段或 C 波段以上时,由于其频率性能的继续提高与输出功率、散热性能、二次击穿性能以及封装后的寄生参数等等都发生了尖锐的矛盾,器件的输出功率、增益和集电极效率随着工作频率的升高而急剧下降,明显地超出每倍频程下降6分贝的传统概念。于是,硅微波功率晶体管向 C 波段以上的更高频率的发展变得缓慢起来。     

一种宽禁带发射极晶体管的理论

为了得到晶体管中高的电流放大系数,重要的是使注入少子电流与总发射极电流之比γ接近于1,或使称做注入损失的量1-γ尽可能小。已经表明,如果发射区比基区有较宽的禁带宽度,则发射极注入损失可以阵低几个数量级。通常采用高发射极掺杂浓度,以使电流增大,而α不致下降;或者降低高的发射极掺杂浓度,而得到较小的发射极电容。在高频晶体管中,减小发射极电容可被用来展宽频率范围或通过增大面积而提高功率能力。     

2GHz输出12W宽频带内匹配硅微波功率管

<正> 一、引言十多年来,硅微波功率管已广泛应用于微波通信、电视广播、雷达、遥测遥控及各种电子仪器、设备之中。不同功能的微波电子系统对微波晶体管提出不同的特殊要求:在电子对抗中要求宽频带微波功率管;在雷达发射单元中要求脉冲微波功率管;在微波通信中要求线性微波功率管;在地面移动通信中要求低压微波功率管。本文侧重研究宽带高效率内匹配微波功率管。它采用了网状发射极结构、扩散电阻镇流、输入输出内匹配网络、多层金属化系