基于器件特性的改进高效率F类微带拓扑分析与实现

本文提出了一种新型的F类高效率功率放大器微带匹配拓扑。该拓扑简单紧凑且考虑了功率三极管输出端寄生效应,使得F类设计理论分析更贴合实际。基于提出的拓扑结构,采用商用10W GaN HEMT(Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor)进行了仿真与硬件实现。测试结果表明:当漏极偏置27V,工作频率2.995GHz时,实测输出功率为37.3dBm,功率附加效率为72.9%。在15~30V的偏置范围内,漏极调制效率达到68.9%以上。实测与仿真结果的吻合,很好的验证了拓扑的可行性。     

基于氮化镓特征的高效功率放大器拓扑设计

基于对功率三极管实际输出端特性的考虑,提出一种易实现的高效率功放拓扑结构,并通过负载控制理论进行更贴合实际的理论分析。基于CREE公司GaN HEMT CGH40010仿真,在输入为25 dBm,偏置为28 V,带宽在2.98 GHz~3.02 GHz时,输出功率高于38.5 dBm,功率附加效率优于70%,并且在3 GHz时功率附加效率达到73.4%。在15 V~30 V的偏置范围内,漏极效率达到70%以上,仿真结果很好地验证了拓扑的可行性。     

建立工作机制 有效打击伪基站

今年以来,我国多地陆续出现不法分子利用伪基站发送大量广告推销短信,或冒用他人手机号码发送诈骗短信,严重危害国家通信安全、扰乱社会公共秩序、损害群众合法权益。作为无线电管理部门,快速有效地打击查处伪基站是摆在面前的一个非常严峻、刻不容缓的任务。     

人发中铜(Ⅱ)、锌(Ⅱ)含量相关性的研究

本文定量地研究人发中铜 ( )、锌 ( )含量的相关性 ,提出一个经验公式 ,应用于铜 ( )含量的计算 ,相对误差小于 1 0 % ,可进行软件开发。     

基于带通匹配网络理论的宽带高效率功放设计

针对超宽带(2 GHz～4 GHz)高效率功放的设计要求,提出了一种可行的实现方法:采用Load-Pull技术确定最佳输入输出阻抗,并利用基于传输线的带通网络完成了宽带匹配。基于此方法,采用CREE公司GaN HEMT CGH40010进行实际仿真,在输入为27.5 dBm,偏置为28 V时,2 GHz～4 GHz频率范围内功率附加效率优于50%,输出功率高于38.9 dBm,带内增益波动小于2 dB,验证了此方法的有效性。