排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
使用二维器件模拟软件Medici, 对SiC1-xGex/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为1 μm, P型轻掺杂SiC1-xGex层厚为0.4 μm, 二者之间形成突变异质结.在反向偏压3 V、光强度为 0.23 W/cm2的条件下, p-n+ SiC0.8Ge0.2/SiC和p-n+ SiC0.7Ge0.3/SiC敏感波长λ分别可以达到0.64 μm和0.7 μm, 光电流分别为7.765×10-7 A/μm和7.438×10-7 A/μm; 为了进一步提高SiC1-xGex/SiC 异质结的光电流, 我们把p-n+两层结构改进为p-i-n三层结构.在同样的偏压、光照条件下, p-i-n SiC0.8Ge0.2/SiC和p-i-n SiC0.7Ge0.3/SiC的光电流分别达到1.6734×10-6 A/μm和1.844×10-6 A/μm. 相似文献
2.
针对QPSK调制的WCDMA扩频信号提出了一种新的数摸混合型解扩方法。实验表明这种数模混合型解扩方法可以实现QPSK调制的WCDMA扩频信号的解扩功能。与全数字解扩方法相比,该方法无需A/D转换器和正交变换器,具有电路结构简单的特点,而且由于直接在模拟域计算,因此具有模拟运算电路功耗低、高速等优点,同时由于模拟电路受数字电路控制,该方法又具有数字电路灵活,稳定等优点。 相似文献
3.
用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成3.3V/ 1.2 V开关电容DC- DC变换器,其控制脉冲频率和固定导通比分别为10 MHz和0 .5 .为了提高变换器的输出电流,采用CMOS工艺来制造电路中的开关器件和改进的互补型电路结构.使用Hspice电路仿真软件得到的仿真结果表明改进变换器的单个单元电路和互补型电路可使输出电流分别达到12 .5 m A和2 6 m A,且后者的功率转换效率为73% ,输出电压纹波小于1.5 % .变换器在日本东京大学的标准Rohm 0 .35 μm CMOS工艺线上投片试制,测试结果显示,使用CMOS开关的变换器单元电路的输出电流为9.8m A. 相似文献
4.
提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极-电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大电阻,并且占用很小芯片面积,可以通过此大电阻为前置放大器提供直流偏置,同时不影响输入阻抗值.通过对输入级进行理论噪声分析,确定了放大器中的各个器件参数.仿真结果表明,由于采用电容负反馈结构,此放大器的交流增益为38.8dB,无直流增益,在0.1Hz~1kHz频率范围内,总输入等效噪声为277nVrms. 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
The development of an implantable five channel microelectrode array is presented for neural signal recordings. The detailed fabrication process is outlined with four masks used. The SEM images show that the probe shank is 1.2mm long, 100μm wide and 30μm thick with the recording sites spaced 200μm apart for good signal isolation. The plot of the single recording site impedance versus frequency is shown by test in vitro and the impedance declines with the increasing frequency. Experiment in vivo using this probe is under way. 相似文献
10.
文章基于WCDMA标准研究了3G计费网络的结构、计费系统的组成及3G计费的特点与模式,指出3G话单的复杂性是3G计费系统的一大特色。 相似文献