Tb3+,Mn2+作为激活剂的PDP绿色荧光粉的研究

分别介绍了以Mn^2＋和Tb^3＋作为激活中心的PDP用硅酸盐体系、铝酸盐体系、硼酸盐体系和磷酸盐等体系绿色荧光粉的研究现状。在以Mn^2＋作为发光中心的绿粉中，目前研究主要集中在通过调整Mn^2＋的离子浓度、添加其他杂质，探索使用新的基质材料，或是使用不同的合成技术等方法来改进其余辉时间过长、易时效劣化以及形貌上的不足。在以Tb^3＋作为激活中心的绿粉中，为了获取在真空紫外激发条件下高的发光效率，则主要围绕寻找在VUV区域内有强吸收的基质和能够有效进行能量传递的稀土敏化剂，以及利用量子剪裁效应来使得荧光粉发光量子效率大于1等方面进行。     

多量子阱超辐射发光二极管(SLD)热分布计算

对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Super luminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布。计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1W时,有源区的温度将接近50K。该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义。     

Y2O3:Eu薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3：Eu荧光薄膜．并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3：Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明：随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能：600 O退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。     

Effect of Al^3＋ on Photoluminescence Properties of Eu^3＋-Doped BaZr（BO3）2 Phosphors

We discuss the influence of Al^3＋ on the charge transfer state （CTS） and the photoluminescence properties of BaZr（BO3）2：Eu. The results reveal that there is a red shift which is about 20nm for the charge transfer state when doping with Al^3＋ and indicate the formation of ‘free＇ electrons due to the change of microstructures. In addition, the influence or Al^3＋ doping on the PPR is analysed and a new explanation is raised based on the photo luminescent mechanism. It is the CTS intensity rather than the CTS energy that influences the peak-peak ratio.     

基于4G移动通信技术的无线网络安全通信分析研究

随着当前计算机技术的不断发展和无线通讯事业的普及,无线网络通信已经逐渐由3G网络发展到了目前的4G网络.本文主要基于此背景分析探究无线网络通信技术的发展过程,4G网络通信接入系统以及移动终端的相关需求,为无线网络安全通讯事业发展奠定坚实的基础.     

ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发的方法制备了ZnS：Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）谱等,表征了ZnS：Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS：Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。     

Y_2O_3∶Eu薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3∶Eu荧光薄膜,并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3∶Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能;600℃退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。