海外专栏

期盼已久的″OLED海外″栏目终于和大家见面了。本栏目将由国际著名的OLED专家陈金鑫教授主持。陈金鑫教授1970年获美国奥克拉菏马州立大学有机化学博士学位,1973年加入美国柯达公司从事新色料的研究及其在电子彩色显像技术上的应用,获35项美国专利。1994-1995年间曾在法国巴黎ESPCI材料所及中兴大学化学系客座讲学,1999年返台后至今,任台湾交通大学应化系教授及电子信息中心OLED研究室主任。陈教授博学多才,热心公益,相信由他主持的″海外OLED″栏目,一定会成为读者的良师益友。     

掺杂发光有机电致磷光器件工作原理及主体材料

本文总结了基于掺杂发光的有机电致磷光器件(PhOLED)中磷光材料被激发的途径及机理,并指出不同主体材料对器件性能的不同影响.全面介绍了小分子主体材料研究的新进展及它们在PhOLEDs器件中的运用.比较和讨论了基于各种不同性质主体材料的器件性能,指出主体材料选择策略.同时讨论了各类主体材料的分子结构、热稳定性、三线态能级、载流子迁移率及HOMO/LUMO能级之间的关系,揭示了上述特性对器件性能影响.     

OLED海外专栏

时间过得真快，又是一年了，在此谨向各位读者拜个晚年，希望在猴年，OLED科技与产业在研发、技术与产能、行销或市场及投资经济规模等各方面，能够「蹦跳」出一些亮丽的成果及业绩来。     

基于掺杂型双主发光体系统的高效率红色OLED器件

本研究的主要目的在于改善现行红色有机发光二极管(OLED)的发光效率及工作寿命。我们利用两种主发光体(A)缩合多环式芳香族化合物及(B)有机金属钳合物,创造出一种新型的发光系统,命名为双主发光体系统(Co-HostEmitterSystem,简称CHE)。实验结果显示,使用此新型发光系统所制成的红色OLED能够有效地抑制因输入电荷引起的内部消光机制,大幅提升发光效率(4.5cd/A,增益>200%)及能量效率(2.5lm/W,增益>200%)。更重要的是,器件的半衰期寿命因而延长至30,000小时以上,这是目前发表过的文献中效能最佳的红色OLED器件。     

海外专栏

自2003年第4期“OLED海外专栏”开栏以来,承蒙国立交通大学显示研究所教授、电子信息中心OLED研究室主任陈金鑫和他的同事们热诚支持,开启了通向海外OLED的视窗,让读者认知了世界OLED领域,推动了中国OLED事业的发展。但由于陈教授工作繁忙,实在无暇继续主持“OLED海外专栏”,因此,我们不得不怀着深切的谢意和遗憾的心情,宣告关栏。希望读者通过本刊,继续关注我国OLED的发展。下面,是陈教授给读者的[告别专栏]信、文,由于我们计划不周,拖延了发表时间,请作者和读者见谅。     

OLED海外专栏闭栏序

自2003年第4期“OLED海外专栏”开栏以来，承蒙国立交通大学显示研究所教授、电子信息OLED研究室主任陈佥鑫和他的同事们热诚支持，开启了通向海外OLED的视窗，让读者认知了世界OLED领域，推动了中国OLED事业的发展。但由于陈教授工作繁忙，实在无暇继续主持“OLED海外专栏”，因此，我们不得不怀着深切的谢意和遗憾的心情，宣告关栏。希望读者通过本刊，继续关注我国OLED的发展。下面，是陈教授给读者的[告别专栏]信、文，由于我们计划不周，拖延了发表时间，请作者和读者见谅。     

柔性箔片气膜密封实际表面状态下的声发射信号特征

柔性箔片气膜密封技术是1种先进的非接触式柱面气膜密封技术,可满足极端参数下高性能旋转机械的密封需求,然而该柱面密封结构不同表面状态运转下的信号特征规律较少研究.因此,本文中通过搭建密封试验台采集不同表面状态下的AE信号频率,进而利用AE波形图和傅里叶变换对其不同表面状态下AE特征规律进行分析与探讨,对比获得不同压力、转速以及膜厚变化时的AE频率特征,从而确定AE信号与气膜密封表面状态相关的幅频信息.结果分析表明：不同表面状态下,AE信号特征频率呈现中心幅频特征不同,且柔性箔片气膜密封结构的AE信号特征至少存在两种明显的中心频率变化,这是由柔性箔片气膜密封的楔形间隙结构变化导致;另外,当密封试验压差和转速变化时,AE频率特征发生了一定程度的变化,但AE中心频率分布基本不变;最后,由于AE高频信号会随着膜厚增加发生衰减,相同表面状态在不同膜厚下呈现出不同的AE频率特征.     

不同环境中纳秒激光烧蚀单晶硅的物质抛出机理

为了探究纳秒激光烧蚀单晶硅过程中熔融物质的喷溅过程,对不同加工环境中纳秒激光烧蚀单晶硅的过程进行了模拟仿真及实验验证。采用Level-Set界面追踪法,通过仿真软件建立有限元模型,对空气、静水和真空加工环境中纳秒激光烧蚀单晶硅时物质抛出过程进行模拟仿真,研究了不同加工环境中温度场、速度场对表面喷溅的影响;采用波长266 nm、脉宽30 ns和频率50 Hz的单脉冲激光烧蚀单晶硅的工艺实验对仿真结果进行验证,通过原子力显微镜和数字显微镜对烧蚀结果进行了表征。结果表明,空气环境中,t=30 ns时熔融物质的喷溅速率达到14.1 m/s,在微孔内部蒸汽压力的作用下,烧蚀区域熔融物质向外喷出;静水环境中,t=30 ns时熔融物质的喷溅速率为1.68 m/s,远低于空气中的喷溅速率,熔融物质快速冷却;真空环境中,材料在短时间内汽化,t=30 ns时熔融物质的喷溅速率最大可达18.4 m/s,较高的喷溅速率有利于物质的抛出。加工环境对纳秒激光烧蚀单晶硅的物质抛出影响较大,这为提高纳秒激光加工单晶硅的加工质量提供了参考。     

硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光:共掺镱的增强发光作用

在我们以前的工作(Zhu C, Lü C Y, Gao Z F, Wang C X, Li D S, Ma X Y, Yang D R 2015 Appl.Phys.Lett.107 131103)中,利用掺铒(Er)二氧化钛薄膜(TiO_2:Er)作为发光层,实现了基于ITO/TiO_2:Er/SiO_2/n~+-Si结构的发光器件的Er相关可见及近红外(约1540 nm)电致发光.本文将镱(Yb)共掺入TiO_2:Er薄膜中,显著增强了Er相关可见及近红外电致发光.研究表明,一定量Yb的共掺会导致TiO_2:Er薄膜由锐钛矿相转变为金红石相,从而使得Er~(3+)离子周围晶体场的对称性降低.此外,Yb~(3+)离子比Ti~(4+)离子具有更大的半径,这使TiO_2基体中Er~(3+)离子周围的晶体场进一步畸变.晶体场的对称性降低及畸变使得Er~(3+)离子4f能级间的跃迁概率增大.由于上述原因,Yb在TiO_2:Er薄膜的共掺显著增强了相关发光器件的电致发光.