硅单晶衬底制备时晶体取向的控制与器件和电路制造中外延工艺的关系

一九六四年已发现集成电路外延工艺受晶向影响,并在一九六八年此问题即园满解决.我们在十五年后碰到了同样的问题.据了解,很多搞电路的厂家还没有解决或还没有彻底解决,因而在生产上造成很大的浪费.研究一下定向切割对外延工艺的影响,这在经济上还是很有意义的.     

对氯硝基苯在含镧的镍钼硼奈米触媒上的氢化反应

钼和镧是好的镍硼触媒的促进剂, 对于对氯硝基苯氢化反应有好的效果, 因此同时加入钼和镧在镍硼触媒上应该是有趣的研究题目. 本研究利用化学还原法制备了一系列含有不同量镧的镧钼镍触媒, 醋酸镍、钼酸胺及硝酸镧同时加入含有甲醇的水溶液中. 以X光绕射, 穿透式电子显微镜、高分辨率电子显微镜及X光光电能谱仪鉴定了这些触媒. 对氯硝基苯氢化反应是在批次反应器中于333 K、1.2 MPa氢气压力及500 r/min转速下操作. 即使在镍钼硼中加入很少量的镧, 对提高活性及对氯苯胺的选择性都有显著的效果, 加入适量的镧可以抑制镍钼硼的长范围的结晶排列, 并保持镍钼硼在非结晶状态. 镧以氧化态存在, 其功效为阻隔物, 避免镍钼硼聚集, 但是过量的镧会有相反的效果, 镧和镍的适当比例是0.2.     

有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制

本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。