In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.     

继往开来,任重道远——纪念中国半导体事业五十周年

今年是中国半导体事业五十周年．其实谁也没有这么规定过，也没有任何文件中提到．事实上，中国的半导体事业从新中国一成立就开始进行，那为什么将1956年作为中国半导体事业的开始？主要是因为那一年有几件大事：（1）1956年1月30日到2月4日由中国物理学会主办，全国第一届半导体物理学讨论会在北京召开．（2）1956年在周恩来总理的亲自主持下，制定了1956-1967年《十二年科学技术发展远景规划》．在规划中，将半导体技术列为我国新技术的四大紧急措施之一．（3）1956年高等教育部为落实加快发展我国半导体科学技术事业，尽快培养半导体专门人才的紧急措施，决定在北京大学成立由北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学）组成的中国第一个五校联合半导体专门化，由黄昆任教研室主任，谢希德任教研室副主任．（4）这年9月，高等教育部围绕四大紧急措施在成都创办的“成都电讯工程学院”正式开学招生，设有无线电、计算技术、自动化、半导体及电子真空、有线电等系．从1956年开始，中国的半导体科学技术和人才培养迈开了强劲的步伐．     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

Studies of Spectroscopic Ellipsometry in Cd1-xMnxTe/CdTe Superlattices

Cd1-xMnxTe/CdTe superlattices and thin films were grown by molecular beam epitaxy on GaAs （001） substrates. Spectroscopic ellipsometry measurements were performed on Cd1-x Mnx Te/ CdTe superlattices with compositions x = 0.4, 0.8, and Cd1-xMnx Te thin films with x = 0.2, 0.4, 0.6 at room temperature in the photon energy range 1.4-5 eV. In superlattices the pseudodielectric functions measured by ellipsometry show specific features related to the exciton transition between quantized interbands. The exciton transitions related to the heavy holes of 11 H, 22H, and 33H are observed and identified. In thin films spectroscopic ellipsometry allows the clear identification of the energy gap Eo. Additionally, critical point transitions are observable in both the spectra of the superlattices and films. Photoreflectance spectra were also performed at room temperature in order to compare with our ellipsometry results. After taking into account the strain-induced and quantum confinement effects, the theoretical calculations are in good agreement with our experimental spectra. Ellipsometry appears to be a suited technique to monitor the MBE growth, ultimately also in situ, of diluted magnetic low-dimensional systems.     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

Zn_(1-x)Mn_xTe/ZnTe超晶格的多声子拉曼谱

Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅ超晶格的多声子拉曼谱陈辰嘉李海涛王学忠李晓莅孙允希王晶晶周赫田（北京大学物理系北京１００８７１）Ｍｕｌｔｉ┐ｐｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＺｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＣｈｅｎＣｈｅｎｊ...     

新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用

报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射（ＤＲ）光谱技术,给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果,并与光调制反射谱（ＰＲ）实验和理论计算结果相比较．实验证明ＤＲ谱的信号比ＰＲ谱更强,可达１０－２量级,两者一致并与理论计算结果符合得很好．ＤＲ谱是研究薄膜和微结构的有效方法     

α—NiSO4.6H2O晶体磁园二色谱和吸收谱的研究

用磁园二色谱和光吸收谱对α－ＮｉＳＯ４．６Ｈ２Ｏ晶体进行了测量和研究，实验结果表明在λ＝１８５～３３００ｎｍ范围内存在一系列吸收结构，其中三个主要主要吸收带结构分别对应于晶体中Ｎｉ离子基态到有关激发态的ｄ－ｄ跃迁，对它们进行了初步指认，实验中观测到红带的λ＝６５４ｎｍ和λ＝７１３ｎｍ两结构间存在一系列弱的结构峰，它们主要与自旋轨道耦合相互作用结果有关，在磁园二色谱中还观测到λ＝５８５ｎｍ的强吸收峰     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于