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报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍.
关键词: 相似文献
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GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化。通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化。 相似文献
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利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了GaAs/SrTiO3外延单晶薄膜样品,研究了这种新型异结构的晶格振动光学特性。实验结果表明:在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上外延生长的GaAs薄膜具有单晶结构,有与GaAs单晶体材料相同的晶格振动特性。 相似文献
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